FDC608PZ ON Semiconductor


fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC608PZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції FDC608PZ за ціною від 11.76 грн до 69.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ onsemi FDC608PZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.22 грн
9000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+18.04 грн
802+17.76 грн
815+17.47 грн
829+16.57 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.62 грн
42+18.33 грн
43+18.04 грн
100+17.13 грн
250+15.60 грн
500+14.73 грн
1000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1557+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 1557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+39.54 грн
1000+28.55 грн
3000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI FDC608PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.66 грн
25+16.84 грн
100+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ onsemi FDC608PZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.48 грн
10+37.81 грн
50+27.76 грн
100+23.01 грн
500+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ onsemi FDC608PZ-D.PDF MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 139851 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+69.71 грн
10+31.62 грн
100+22.67 грн
500+18.65 грн
1000+16.53 грн
3000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI 2304599.pdf Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 10051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI 2304599.pdf Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 10051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ ON-Semiconductor FDC608PZ-D.PDF P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.22 грн
9000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
790+18.04 грн
802+17.76 грн
815+17.47 грн
829+16.57 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+18.62 грн
42+18.33 грн
43+18.04 грн
100+17.13 грн
250+15.60 грн
500+14.73 грн
1000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1557+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 1557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
361+39.54 грн
1000+28.55 грн
3000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.66 грн
25+16.84 грн
100+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.48 грн
10+37.81 грн
50+27.76 грн
100+23.01 грн
500+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 139851 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.71 грн
10+31.62 грн
100+22.67 грн
500+18.65 грн
1000+16.53 грн
3000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ 2304599.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 10051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ 2304599.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 10051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ-D.PDF
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.