FDC608PZ onsemi


fdc608pz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.50 грн
6000+11.81 грн
9000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC608PZ onsemi

Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції FDC608PZ за ціною від 10.76 грн до 62.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI 2304599.pdf Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 16791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.18 грн
500+17.14 грн
1500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ onsemi / Fairchild FDC608PZ-D.PDF MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 156932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.70 грн
18+18.36 грн
100+14.70 грн
500+13.08 грн
1000+12.38 грн
3000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI 2304599.pdf Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 16791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.41 грн
50+25.60 грн
100+20.18 грн
500+17.14 грн
1500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ onsemi fdc608pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.34 грн
11+27.81 грн
100+19.15 грн
500+15.36 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ onsemi fdc608pz-d.pdf MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 146600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.11 грн
10+37.53 грн
100+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ 2304599.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 16791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+20.18 грн
500+17.14 грн
1500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 156932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.70 грн
18+18.36 грн
100+14.70 грн
500+13.08 грн
1000+12.38 грн
3000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ 2304599.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 16791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+37.41 грн
50+25.60 грн
100+20.18 грн
500+17.14 грн
1500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+59.34 грн
11+27.81 грн
100+19.15 грн
500+15.36 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 146600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.11 грн
10+37.53 грн
100+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.