Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC608PZ
FDC608PZ

FDC608PZ ON Semiconductor

3666355087999175fdc608pz.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC608PZ ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDC608PZ за ціною від 10.89 грн до 44.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.25 грн
6000+ 13.23 грн
9000+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : onsemi fdc608pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.59 грн
6000+ 12.42 грн
9000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
735+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 735
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ONSEMI 2304599.pdf Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 34829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.29 грн
500+ 18.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ONSEMI FDC608PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+24.49 грн
25+ 19.75 грн
52+ 15.74 грн
141+ 14.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ONSEMI FDC608PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.39 грн
25+ 24.61 грн
52+ 18.89 грн
141+ 17.86 грн
3000+ 17.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+37.43 грн
18+ 32.55 грн
25+ 31.82 грн
100+ 22.51 грн
250+ 20.04 грн
500+ 16.62 грн
1000+ 13.54 грн
3000+ 10.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : onsemi fdc608pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 20142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.44 грн
10+ 33.17 грн
100+ 23.07 грн
500+ 16.9 грн
1000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : onsemi / Fairchild FDC608PZ_D-2311937.pdf MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 191109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.58 грн
10+ 32.09 грн
100+ 20.76 грн
500+ 17.16 грн
1000+ 13.95 грн
3000+ 11.42 грн
9000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ONSEMI 2304599.pdf Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 34829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.71 грн
21+ 37.15 грн
100+ 23.29 грн
500+ 18.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor 3666355087999175fdc608pz.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній