Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC608PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Інші пропозиції FDC608PZ за ціною від 11.66 грн до 59.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Gate charge: 23nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -5.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V |
на замовлення 2082 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V |
на замовлення 9189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC608PZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET |
на замовлення 156932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDC608PZ | onsemi |
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET |
на замовлення 145851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC608PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 13259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC608PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 13259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 168 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC608PZ | ON-Semiconductor |
P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.68 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.53 грн |
| 6000+ | 11.84 грн |
| 9000+ | 11.66 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.11 грн |
| 9000+ | 15.95 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.40 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.44 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.60 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 790+ | 17.92 грн |
| 802+ | 17.64 грн |
| 815+ | 17.36 грн |
| 829+ | 16.46 грн |
| 1000+ | 14.99 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 18.50 грн |
| 42+ | 18.21 грн |
| 43+ | 17.92 грн |
| 100+ | 17.01 грн |
| 250+ | 15.50 грн |
| 500+ | 14.63 грн |
| 1000+ | 14.39 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 21.32 грн |
| 100+ | 19.78 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1557+ | 22.72 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 407+ | 34.76 грн |
| 1000+ | 33.30 грн |
| 3000+ | 33.06 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 42.03 грн |
| 14+ | 31.22 грн |
| 16+ | 27.66 грн |
| 50+ | 20.70 грн |
| 100+ | 18.58 грн |
| 250+ | 16.46 грн |
| 500+ | 16.20 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.47 грн |
| 11+ | 27.87 грн |
| 100+ | 19.20 грн |
| 500+ | 15.39 грн |
| 1000+ | 13.90 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 156932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 145851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 13259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 13259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZ
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 15.49 грн |






