| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC608PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Інші пропозиції FDC608PZ за ціною від 12.05 грн до 63.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC608PZ | onsemi |
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET |
на замовлення 140678 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Gate charge: 23nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -5.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 43mΩ |
на замовлення 2082 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC608PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 9901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC608PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 9901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDC608PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 168 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDC608PZ | ON-Semiconductor |
FDC608PZ P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω TFDC608PZ |
на замовлення 230 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.05 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.39 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.62 грн |
| 9000+ | 16.45 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.81 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.83 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.96 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 790+ | 18.48 грн |
| 802+ | 18.19 грн |
| 815+ | 17.90 грн |
| 829+ | 16.97 грн |
| 1000+ | 15.45 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 19.08 грн |
| 42+ | 18.78 грн |
| 43+ | 18.48 грн |
| 100+ | 17.54 грн |
| 250+ | 15.98 грн |
| 500+ | 15.08 грн |
| 1000+ | 14.83 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1557+ | 23.43 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 27.74 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 361+ | 40.51 грн |
| 1000+ | 29.25 грн |
| 3000+ | 28.40 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 140678 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.25 грн |
| 12+ | 26.41 грн |
| 100+ | 20.22 грн |
| 500+ | 17.78 грн |
| 1000+ | 16.00 грн |
| 3000+ | 12.52 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 59.42 грн |
| 25+ | 17.05 грн |
| 100+ | 15.72 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.29 грн |
| 10+ | 38.30 грн |
| 50+ | 28.12 грн |
| 100+ | 23.31 грн |
| 500+ | 17.88 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 9901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 9901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
FDC608PZ P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω TFDC608PZ
FDC608PZ P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω TFDC608PZ
на замовлення 230 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 15.98 грн |






