FDC608PZ

FDC608PZ onsemi


fdc608pz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.05 грн
6000+12.33 грн
9000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC608PZ onsemi

Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC608PZ за ціною від 11.68 грн до 61.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.10 грн
9000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor 3666355087999175fdc608pz.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
857+14.46 грн
860+14.41 грн
863+14.35 грн
866+13.79 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 857
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.11 грн
9000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+15.49 грн
100+14.89 грн
250+13.73 грн
500+13.13 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1557+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 1557
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : onsemi / Fairchild FDC608PZ-D.PDF MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 162239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.79 грн
20+17.56 грн
100+13.98 грн
500+13.29 грн
1000+12.91 грн
3000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ONSEMI 2304599.pdf Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.84 грн
500+21.32 грн
1500+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ONSEMI fdc608pz-d.pdf Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.04 грн
50+23.99 грн
100+20.47 грн
500+17.02 грн
1500+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0521B6D0BE28&compId=FDC608PZ.pdf?ci_sign=42dea0deed88e4a495dcc7ca0bb8a49350534121 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.8A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.27 грн
17+24.10 грн
50+20.13 грн
100+18.54 грн
250+16.71 грн
500+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0521B6D0BE28&compId=FDC608PZ.pdf?ci_sign=42dea0deed88e4a495dcc7ca0bb8a49350534121 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.8A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.12 грн
10+30.04 грн
50+24.15 грн
100+22.24 грн
250+20.05 грн
500+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : onsemi fdc608pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.96 грн
11+29.04 грн
100+20.00 грн
500+16.04 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ Виробник : ON Semiconductor 3666355087999175fdc608pz.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.