| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.58 грн |
| 9000+ | 12.46 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC610PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.
Інші пропозиції FDC610PZ за ціною від 11.67 грн до 66.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC610PZ | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC610PZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC610PZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC610PZ | onsemi |
MOSFETs -30V P-CHANNEL |
на замовлення 65094 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC610PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
на замовлення 6108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDC610PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.64 грн |
| 6000+ | 11.95 грн |
| 9000+ | 11.81 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.64 грн |
| 6000+ | 11.96 грн |
| 9000+ | 11.82 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.96 грн |
| 9000+ | 12.83 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.23 грн |
| 6000+ | 13.47 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1718+ | 21.24 грн |
| 10000+ | 18.94 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 21.27 грн |
| 41+ | 19.31 грн |
| 100+ | 18.12 грн |
| 500+ | 15.95 грн |
| 1000+ | 13.13 грн |
| 3000+ | 11.78 грн |
| 6000+ | 11.67 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 602+ | 24.23 грн |
| 1000+ | 20.26 грн |
| 3000+ | 19.76 грн |
| 6000+ | 19.00 грн |
| 9000+ | 17.48 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 48.62 грн |
| 17+ | 24.66 грн |
| 50+ | 20.73 грн |
| 100+ | 19.14 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 52.41 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.38 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V P-CHANNEL
MOSFETs -30V P-CHANNEL
на замовлення 65094 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.12 грн |
| 10+ | 35.70 грн |
| 100+ | 22.89 грн |
| 500+ | 17.63 грн |
| 1000+ | 15.41 грн |
| 3000+ | 13.85 грн |
| 6000+ | 12.67 грн |
| FDC610PZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 6108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)