на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC610PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC610PZ за ціною від 9.68 грн до 44.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC610PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC610PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6 On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A |
на замовлення 1826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6 On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1826 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V |
на замовлення 13099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC610PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDC610PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -30V P-CHANNEL |
на замовлення 170607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |