FDC610PZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.25 грн |
| 6000+ | 10.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC610PZ onsemi
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC610PZ за ціною від 9.67 грн до 54.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDC610PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDC610PZ | Виробник : onsemi |
MOSFETs -30V P-CHANNEL |
на замовлення 155647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V |
на замовлення 8494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC610PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| FDC610PZ | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 A, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1005 @ 15, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 4,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |