Продукція > ONSEMI > FDC610PZ
FDC610PZ

FDC610PZ onsemi

fdc610pz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.38 грн
6000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC610PZ onsemi

Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.

Інші пропозиції FDC610PZ за ціною від 12.17 грн до 62.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI 2304131.pdf Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.59 грн
26+32.08 грн
100+19.77 грн
500+17.07 грн
1000+14.35 грн
5000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ FDC610PZ onsemi fdc610pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.38 грн
10+33.37 грн
100+21.55 грн
500+15.47 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ FDC610PZ onsemi fdc610pz-d.pdf MOSFETs -30V P-CHANNEL
на замовлення 90852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.77 грн
10+37.44 грн
100+21.66 грн
500+16.60 грн
3000+14.35 грн
6000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ 2304131.pdf
FDC610PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.59 грн
26+32.08 грн
100+19.77 грн
500+17.07 грн
1000+14.35 грн
5000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ fdc610pz-d.pdf
FDC610PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.38 грн
10+33.37 грн
100+21.55 грн
500+15.47 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ fdc610pz-d.pdf
FDC610PZ
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V P-CHANNEL
на замовлення 90852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.77 грн
10+37.44 грн
100+21.66 грн
500+16.60 грн
3000+14.35 грн
6000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.