FDC6302P Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 144925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1090+ | 18.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6302P Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6.
Інші пропозиції FDC6302P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC6302P | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 P-CH -25V |
на замовлення 3276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FDC6302P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDC6302P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
товар відсутній |