FDC6303N onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.61 грн |
| 6000+ | 10.24 грн |
| 9000+ | 9.76 грн |
| 15000+ | 8.65 грн |
| 21000+ | 8.35 грн |
| 30000+ | 8.06 грн |
| 75000+ | 7.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6303N onsemi
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDC6303N за ціною від 8.92 грн до 54.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC6303N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V |
на замовлення 28176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6303N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6 Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 157625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6303N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 118022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6303N | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V |
на замовлення 15673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|