Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6303N
FDC6303N

FDC6303N ON Semiconductor

fdc6303n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6303N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC6303N за ціною від 8.34 грн до 54.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6303N FDC6303N Виробник : onsemi fdc6303n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.38 грн
6000+10.91 грн
9000+10.40 грн
15000+9.22 грн
21000+8.90 грн
30000+8.59 грн
75000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.76 грн
6000+12.37 грн
9000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.64 грн
6000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.70 грн
6000+13.30 грн
9000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : ONSEMI 2304097.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 119482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.06 грн
500+14.33 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.07 грн
14+30.26 грн
50+20.36 грн
100+17.14 грн
250+13.84 грн
500+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : ONSEMI 2304097.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 119482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.58 грн
29+30.34 грн
100+21.06 грн
500+14.33 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : onsemi fdc6303n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 157625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.66 грн
11+31.55 грн
100+20.33 грн
500+14.52 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.09 грн
10+37.71 грн
50+24.44 грн
100+20.57 грн
250+16.61 грн
500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : onsemi / Fairchild FDC6303N-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 28176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.27 грн
11+32.61 грн
100+19.01 грн
500+14.84 грн
1000+13.06 грн
3000+10.20 грн
6000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : ON Semiconductor fdc6303njp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.