Продукція > ONSEMI > FDC6303N
FDC6303N

FDC6303N onsemi

FDC6303N-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.31 грн
6000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6303N onsemi

Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6303N за ціною від 12.33 грн до 52.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC6303N FDC6303N ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.42 грн
6000+13.97 грн
9000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.43 грн
6000+13.98 грн
9000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.58 грн
6000+14.13 грн
9000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ON Semiconductor fdc6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+28.77 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ONSEMI FDC6303N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3nC
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.77 грн
17+25.49 грн
50+20.55 грн
100+18.62 грн
500+14.42 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N onsemi FDC6303N-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 34991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.40 грн
50+22.96 грн
100+18.98 грн
500+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N onsemi FDC6303N-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 14857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ONSEMI FDC6303N-D.PDF Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 114783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ONSEMI 2304097.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 114783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
FDC6303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
FDC6303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.42 грн
6000+13.97 грн
9000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
FDC6303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.43 грн
6000+13.98 грн
9000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
FDC6303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.58 грн
6000+14.13 грн
9000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
FDC6303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
492+28.77 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N.pdf
FDC6303N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3nC
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.77 грн
17+25.49 грн
50+20.55 грн
100+18.62 грн
500+14.42 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N-D.PDF
FDC6303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 34991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.52 грн
10+31.40 грн
50+22.96 грн
100+18.98 грн
500+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N-D.PDF
FDC6303N
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 14857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N-D.PDF
FDC6303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 114783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N 2304097.pdf
FDC6303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 114783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.