FDC6304P

FDC6304P Fairchild Semiconductor


FAIRS26804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 75695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
849+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 849
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6304P Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Power - Max: 700mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції FDC6304P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6304P FDC6304P Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FAIRS26804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET SSOT-6 P-CH -25V
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304P FAIRS26804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.