| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 13.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
60 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6305N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDC6305N за ціною від 14.08 грн до 73.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC6305N | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.7A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 128mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 5nC |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 7462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDC6305N | onsemi |
MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V |
на замовлення 33949 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC6305N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDC6305N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.90 грн |
| 6000+ | 14.08 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.18 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.48 грн |
| 6000+ | 17.04 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.80 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.57 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.60 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.70 грн |
| 6000+ | 20.80 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 24.36 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 33.48 грн |
| 27+ | 29.54 грн |
| 100+ | 24.61 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 33.52 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 437+ | 33.52 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 357+ | 41.05 грн |
| 1000+ | 30.10 грн |
| 3000+ | 26.50 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5nC
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5nC
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 63.16 грн |
| 10+ | 44.74 грн |
| 11+ | 38.12 грн |
| 50+ | 25.89 грн |
| 100+ | 22.03 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 7462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.77 грн |
| 10+ | 39.36 грн |
| 50+ | 28.97 грн |
| 100+ | 24.02 грн |
| 500+ | 18.45 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 222+ | 66.01 грн |
| 223+ | 65.70 грн |
| 250+ | 65.40 грн |
| 500+ | 62.77 грн |
| 1000+ | 57.86 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 66.31 грн |
| 25+ | 66.01 грн |
| 100+ | 63.36 грн |
| 250+ | 58.39 грн |
| 500+ | 55.80 грн |
| 1000+ | 55.54 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 69.23 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 212+ | 69.23 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 33949 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.02 грн |
| 10+ | 32.96 грн |
| 100+ | 25.32 грн |
| 500+ | 19.45 грн |
| 1000+ | 18.93 грн |
| 3000+ | 15.14 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






