Продукція > ONSEMI > FDC6305N
FDC6305N

FDC6305N onsemi

fdc6305n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.72 грн
6000+12.58 грн
9000+12.13 грн
15000+11.30 грн
21000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6305N onsemi

Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6305N за ціною від 11.25 грн до 68.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.55 грн
500+20.34 грн
1500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI FDC6305N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 128mΩ
Drain current: 2.7A
Gate charge: 5nC
Gate-source voltage: ±8V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+56.52 грн
12+37.92 грн
50+26.07 грн
100+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi / Fairchild FDC6305N-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 24350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.24 грн
10+39.63 грн
100+22.22 грн
500+17.23 грн
1000+15.47 грн
3000+12.03 грн
6000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi fdc6305n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.50 грн
10+37.25 грн
100+24.22 грн
500+17.45 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.59 грн
50+43.98 грн
100+28.55 грн
500+20.34 грн
1500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.