Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6305N
FDC6305N

FDC6305N ON Semiconductor

fdc6305n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.68 грн
6000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6305N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC6305N за ціною від 8.90 грн до 68.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.36 грн
6000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.59 грн
6000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi fdc6305n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.94 грн
6000+13.92 грн
9000+13.72 грн
15000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+15.51 грн
42+14.54 грн
100+13.40 грн
250+12.87 грн
500+11.02 грн
1000+10.02 грн
3000+9.08 грн
6000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+16.25 грн
40+15.47 грн
100+14.50 грн
250+13.94 грн
500+12.13 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1792+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 1792
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
499+24.46 грн
586+20.86 грн
590+20.71 грн
680+17.33 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+26.06 грн
27+22.71 грн
100+18.67 грн
250+17.17 грн
500+14.30 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.55 грн
500+21.55 грн
1500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.59 грн
50+42.24 грн
100+29.55 грн
500+21.55 грн
1500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi / Fairchild fdc6305n-d.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 18875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.03 грн
10+39.54 грн
100+23.51 грн
500+19.12 грн
1000+17.56 грн
3000+13.47 грн
9000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi fdc6305n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 17859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.42 грн
10+40.77 грн
100+26.49 грн
500+19.10 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 128mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 2.7A
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 128mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 2.7A
Case: SuperSOT-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.