Продукція > ONSEMI > FDC6306P
FDC6306P

FDC6306P onsemi

fdc6306p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.87 грн
6000+13.17 грн
9000+12.58 грн
15000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6306P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6306P за ціною від 11.80 грн до 65.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDC6306P FDC6306P ONSEMI ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.50 грн
500+18.76 грн
1500+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P onsemi fdc6306p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.06 грн
10+36.92 грн
100+23.96 грн
500+17.26 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P onsemi FDC6306P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 15459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.79 грн
10+39.03 грн
100+22.07 грн
500+16.97 грн
1000+15.15 грн
3000+12.78 грн
6000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P ONSEMI ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.09 грн
50+40.41 грн
100+25.50 грн
500+18.76 грн
1500+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P onsemi / Fairchild FDC6306P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 16489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.17 грн
10+39.83 грн
100+22.55 грн
500+17.32 грн
1000+15.15 грн
3000+12.78 грн
6000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.50 грн
500+18.76 грн
1500+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P fdc6306p-d.pdf
FDC6306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.06 грн
10+36.92 грн
100+23.96 грн
500+17.26 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P-D.pdf
FDC6306P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 15459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+63.79 грн
10+39.03 грн
100+22.07 грн
500+16.97 грн
1000+15.15 грн
3000+12.78 грн
6000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+65.09 грн
50+40.41 грн
100+25.50 грн
500+18.76 грн
1500+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P-D.pdf
FDC6306P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 16489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.17 грн
10+39.83 грн
100+22.55 грн
500+17.32 грн
1000+15.15 грн
3000+12.78 грн
6000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.