Продукція > ONSEMI > FDC6306P
FDC6306P

FDC6306P onsemi

FDC6306P-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.74 грн
6000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6306P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6306P за ціною від 15.82 грн до 65.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC6306P FDC6306P ON Semiconductor fdc6306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P ON Semiconductor fdc6306pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.04 грн
6000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P ON Semiconductor fdc6306pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.26 грн
6000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P ON Semiconductor fdc6306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P ON Semiconductor fdc6306pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+36.12 грн
1000+24.44 грн
3000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P onsemi FDC6306P-D.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+39.02 грн
50+28.71 грн
100+23.80 грн
500+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P onsemi FDC6306P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 17913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P onsemi / Fairchild FDC6306P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 16489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P ONSEMI ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P ONSEMI ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P fdc6306p-d.pdf
FDC6306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P fdc6306pd.pdf
FDC6306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.04 грн
6000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P fdc6306pd.pdf
FDC6306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.26 грн
6000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P fdc6306p-d.pdf
FDC6306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P fdc6306pd.pdf
FDC6306P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
392+36.12 грн
1000+24.44 грн
3000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P-D.pdf
FDC6306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.06 грн
10+39.02 грн
50+28.71 грн
100+23.80 грн
500+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P-D.pdf
FDC6306P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 17913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P-D.pdf
FDC6306P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 16489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.