Продукція > ONSEMI > FDC6312P
FDC6312P

FDC6312P onsemi

fdc6312p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.50 грн
6000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6312P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6312P за ціною від 16.08 грн до 77.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor fdc6312p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
498+25.76 грн
500+25.65 грн
540+23.74 грн
546+22.66 грн
578+19.83 грн
1000+18.91 грн
3000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.52 грн
6000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.62 грн
500+22.69 грн
1500+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.54 грн
6000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+57.17 грн
50+41.36 грн
100+29.62 грн
500+22.69 грн
1500+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : onsemi / Fairchild FDC6312P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.10 грн
10+45.49 грн
100+26.42 грн
500+21.49 грн
1000+19.44 грн
3000+16.97 грн
6000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : onsemi fdc6312p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.00 грн
10+46.71 грн
100+30.27 грн
500+22.34 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.