Продукція > ONSEMI > FDC6312P
FDC6312P

FDC6312P onsemi

fdc6312p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+20.08 грн
6000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6312P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6312P за ціною від 16.56 грн до 83.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDC6312P FDC6312P ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.88 грн
500+24.66 грн
1500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P onsemi / Fairchild FDC6312P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.25 грн
10+46.85 грн
100+27.21 грн
500+22.13 грн
1000+20.02 грн
3000+17.48 грн
6000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P onsemi fdc6312p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.29 грн
10+48.10 грн
100+31.17 грн
500+23.01 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.05 грн
50+51.48 грн
100+33.88 грн
500+24.66 грн
1500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P 2304008.pdf
FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+33.88 грн
500+24.66 грн
1500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P-D.pdf
FDC6312P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.25 грн
10+46.85 грн
100+27.21 грн
500+22.13 грн
1000+20.02 грн
3000+17.48 грн
6000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P fdc6312p-d.pdf
FDC6312P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+79.29 грн
10+48.10 грн
100+31.17 грн
500+23.01 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P 2304008.pdf
FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.05 грн
50+51.48 грн
100+33.88 грн
500+24.66 грн
1500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.