Продукція > ONSEMI > FDC6312P
FDC6312P

FDC6312P onsemi

fdc6312p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.83 грн
6000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6312P onsemi

Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6312P за ціною від 17.87 грн до 82.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor 3647608593158311fdc6312p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor fdc6312p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
498+25.06 грн
500+24.95 грн
540+23.09 грн
546+22.04 грн
578+19.28 грн
1000+18.39 грн
3000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.73 грн
6000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.69 грн
6000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.64 грн
500+24.23 грн
1500+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.70 грн
11+36.11 грн
50+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.07 грн
50+44.18 грн
100+31.64 грн
500+24.23 грн
1500+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.64 грн
7+48.75 грн
10+43.34 грн
50+36.21 грн
100+33.55 грн
500+27.75 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : onsemi / Fairchild FDC6312P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.10 грн
10+50.54 грн
100+29.35 грн
500+23.87 грн
1000+21.59 грн
3000+18.85 грн
6000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : onsemi fdc6312p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.24 грн
10+49.89 грн
100+32.33 грн
500+23.86 грн
1000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P Виробник : ON Semiconductor 3647608593158311fdc6312p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.