Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6312P
FDC6312P

FDC6312P ON Semiconductor

fdc6312p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
498+29.38 грн
500+29.25 грн
540+27.07 грн
546+25.84 грн
578+22.61 грн
1000+21.56 грн
3000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 498 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6312P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6312P за ціною від 21.98 грн до 93.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC6312P FDC6312P ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.50 грн
6000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.52 грн
6000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P ONSEMI FDC6312P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.10 грн
8+56.47 грн
10+48.84 грн
50+35.02 грн
100+30.75 грн
500+23.54 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P onsemi FDC6312P-D.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.78 грн
10+50.74 грн
50+37.58 грн
100+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P onsemi FDC6312P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
на замовлення 19683 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+93.54 грн
10+42.77 грн
100+33.04 грн
500+28.43 грн
1000+24.28 грн
3000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P fdc6312pd.pdf
FDC6312P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.50 грн
6000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P fdc6312pd.pdf
FDC6312P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.52 грн
6000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P.pdf
FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.10 грн
8+56.47 грн
10+48.84 грн
50+35.02 грн
100+30.75 грн
500+23.54 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P-D.pdf
FDC6312P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.78 грн
10+50.74 грн
50+37.58 грн
100+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P-D.pdf
FDC6312P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
на замовлення 19683 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.54 грн
10+42.77 грн
100+33.04 грн
500+28.43 грн
1000+24.28 грн
3000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P 2304008.pdf
FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P 2304008.pdf
FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.