на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6312P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDC6312P за ціною від 12.42 грн до 51.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC6312P | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6312P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6312P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.3A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6312P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: -W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6312P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.3A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6312P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 8201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6312P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL |
на замовлення 31735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6312P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: -W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6312P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |