FDC6320C ON Semiconductor
на замовлення 131468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1290+ | 24.00 грн |
| 10000+ | 21.38 грн |
| 100000+ | 17.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6320C ON Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 120mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6.
Інші пропозиції FDC6320C за ціною від 17.91 грн до 24.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC6320C | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDC6320C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 165681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDC6320C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDC6320C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 58112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDC6320C | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 120mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 238727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDC6320C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 120mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FDC6320C | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FDC6320C | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SuperSOT-6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 0.22/-0.12A On-state resistance: 9/10Ω Gate-source voltage: ±8V Power dissipation: 0.9W Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |