FDC6322C

FDC6322C Fairchild Semiconductor


FAIRS15829-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 364497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 606
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6322C Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 460mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6.

Інші пропозиції FDC6322C за ціною від 50.18 грн до 50.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC6322C FDC6322C Виробник : ONSEMI FAIRS15829-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDC6322C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 364497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
728+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 728
FDC6322C Виробник : Fairchild FAIRS15829-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDC6322C.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDC6322C Виробник : FAIRCHILD FAIRS15829-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDC6322C.pdf SOT163
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDC6322C FDC6322C Виробник : onsemi FDC6322C.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товар відсутній