Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC634P
FDC634P

FDC634P ON Semiconductor

fdc634p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.44 грн
6000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC634P ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDC634P за ціною від 14.37 грн до 75.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC634P FDC634P Виробник : ON Semiconductor fdc634p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.37 грн
6000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : ON Semiconductor fdc634pjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : onsemi fdc634p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.50 грн
6000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : ON Semiconductor fdc634p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1636+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 1636
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : ON Semiconductor fdc634p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1636+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 1636
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : ON Semiconductor fdc634p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 8448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1636+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 1636
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : onsemi / Fairchild fdc634p-d.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.18 грн
10+42.20 грн
100+25.06 грн
500+20.96 грн
1000+17.83 грн
3000+15.07 грн
6000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : onsemi fdc634p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.85 грн
10+45.46 грн
100+29.62 грн
500+21.40 грн
1000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : ON Semiconductor fdc634p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : ON Semiconductor fdc634p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : ON Semiconductor fdc634p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : ON Semiconductor fdc634pjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : ONSEMI FDC634P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P Виробник : ONSEMI FDC634P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.