Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC637AN
FDC637AN

FDC637AN ON Semiconductor

fdc637an-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC637AN ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC637AN за ціною від 17.11 грн до 90.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor 3675097878648518fdc637an.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.34 грн
6000+22.43 грн
9000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.06 грн
6000+24.01 грн
9000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1089+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 1089
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1089+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 1089
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.92 грн
500+26.65 грн
1000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE27D7E90DBE28&compId=FDC637AN.pdf?ci_sign=9d7f831b538c41d4ce2dab6e1f8630c83424c69c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.82 грн
11+36.83 грн
100+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE27D7E90DBE28&compId=FDC637AN.pdf?ci_sign=9d7f831b538c41d4ce2dab6e1f8630c83424c69c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.99 грн
10+45.90 грн
100+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : onsemi fdc637an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.13 грн
10+48.60 грн
100+31.93 грн
500+23.23 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : onsemi / Fairchild FDC637AN-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.09 грн
10+53.22 грн
100+30.70 грн
500+24.13 грн
1000+21.92 грн
3000+19.47 грн
6000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.81 грн
16+56.46 грн
100+36.92 грн
500+26.65 грн
1000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : onsemi fdc637an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.