Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC637AN
FDC637AN

FDC637AN ON Semiconductor

fdc637an-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC637AN ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC637AN за ціною від 18.05 грн до 89.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor 3675097878648518fdc637an.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1300+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 1300
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1300+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 1300
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.48 грн
500+25.61 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ONSEMI FDC637AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.98 грн
10+42.05 грн
33+28.06 грн
89+26.53 грн
500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : onsemi fdc637an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.77 грн
10+49.46 грн
100+32.44 грн
500+23.60 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ONSEMI FDC637AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.98 грн
10+52.40 грн
33+33.67 грн
89+31.83 грн
500+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.27 грн
16+54.26 грн
100+35.48 грн
500+25.61 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : onsemi / Fairchild fdc637an-d.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.05 грн
10+54.61 грн
100+31.41 грн
500+24.44 грн
1000+22.24 грн
3000+18.79 грн
6000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN Виробник : onsemi fdc637an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.