Продукція > ONSEMI > FDC637AN
FDC637AN

FDC637AN onsemi

fdc637an-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC637AN onsemi

Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції FDC637AN за ціною від 16.64 грн до 85.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDC637AN FDC637AN ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.91 грн
6000+24.51 грн
9000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.91 грн
6000+24.51 грн
9000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1089+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ON Semiconductor fdc637an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1089+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ONSEMI ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.20 грн
500+25.35 грн
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN onsemi fdc637an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.55 грн
100+29.94 грн
500+21.79 грн
1000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN onsemi fdc637an-d.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+49.30 грн
100+28.23 грн
500+21.61 грн
1000+19.74 грн
3000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ONSEMI ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.37 грн
16+53.56 грн
100+35.20 грн
500+25.35 грн
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN fdc637an-d.pdf
FDC637AN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+25.91 грн
6000+24.51 грн
9000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN fdc637an-d.pdf
FDC637AN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+25.91 грн
6000+24.51 грн
9000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN fdc637an-d.pdf
FDC637AN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1089+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN fdc637an-d.pdf
FDC637AN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1089+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+35.20 грн
500+25.35 грн
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN fdc637an-d.pdf
FDC637AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.33 грн
10+45.55 грн
100+29.94 грн
500+21.79 грн
1000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN fdc637an-d.pdf
FDC637AN
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+79.65 грн
10+49.30 грн
100+28.23 грн
500+21.61 грн
1000+19.74 грн
3000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+85.37 грн
16+53.56 грн
100+35.20 грн
500+25.35 грн
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.