Продукція > ONSEMI > FDC638APZ
FDC638APZ

FDC638APZ onsemi

fdc638apz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.37 грн
6000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638APZ onsemi

Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm.

Інші пропозиції FDC638APZ за ціною від 10.78 грн до 66.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.29 грн
6000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.29 грн
6000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.65 грн
6000+18.00 грн
9000+17.59 грн
15000+16.46 грн
21000+14.72 грн
30000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.68 грн
6000+18.03 грн
9000+17.60 грн
15000+16.48 грн
21000+14.74 грн
30000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+22.10 грн
706+20.05 грн
791+17.90 грн
1000+16.39 грн
3000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1574+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 1574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1574+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 1574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.40 грн
35+22.10 грн
100+20.05 грн
500+17.26 грн
1000+15.18 грн
3000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 25346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.63 грн
500+19.70 грн
1500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.21 грн
26+29.36 грн
27+28.52 грн
100+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+37.32 грн
1000+27.27 грн
3000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ onsemi / Fairchild FDC638APZ-D.PDF MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.83 грн
10+38.42 грн
100+21.71 грн
500+16.63 грн
1000+14.52 грн
3000+10.92 грн
6000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI FDC638APZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.65 грн
12+38.26 грн
50+25.96 грн
100+22.06 грн
500+15.95 грн
1000+14.34 грн
1500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ onsemi fdc638apz-d.pdf MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 7497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.91 грн
10+38.42 грн
100+21.07 грн
500+16.70 грн
1000+14.94 грн
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.23 грн
10+38.25 грн
100+24.83 грн
500+17.87 грн
1000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 25346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.85 грн
50+42.51 грн
100+27.63 грн
500+19.70 грн
1500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+18.29 грн
6000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+18.29 грн
6000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+18.65 грн
6000+18.00 грн
9000+17.59 грн
15000+16.46 грн
21000+14.72 грн
30000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+18.68 грн
6000+18.03 грн
9000+17.60 грн
15000+16.48 грн
21000+14.74 грн
30000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
640+22.10 грн
706+20.05 грн
791+17.90 грн
1000+16.39 грн
3000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1574+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 1574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1574+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 1574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+27.40 грн
35+22.10 грн
100+20.05 грн
500+17.26 грн
1000+15.18 грн
3000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC638APZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 25346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.63 грн
500+19.70 грн
1500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+30.21 грн
26+29.36 грн
27+28.52 грн
100+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
379+37.32 грн
1000+27.27 грн
3000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ-D.PDF
FDC638APZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.83 грн
10+38.42 грн
100+21.71 грн
500+16.63 грн
1000+14.52 грн
3000+10.92 грн
6000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ.pdf
FDC638APZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+56.65 грн
12+38.26 грн
50+25.96 грн
100+22.06 грн
500+15.95 грн
1000+14.34 грн
1500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 7497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.91 грн
10+38.42 грн
100+21.07 грн
500+16.70 грн
1000+14.94 грн
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+64.23 грн
10+38.25 грн
100+24.83 грн
500+17.87 грн
1000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC638APZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 25346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+66.85 грн
50+42.51 грн
100+27.63 грн
500+19.70 грн
1500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
FDC638APZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.