Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC638APZ
FDC638APZ

FDC638APZ ON Semiconductor

fdc638apz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638APZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC638APZ за ціною від 9.95 грн до 60.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.73 грн
6000+13.74 грн
9000+13.29 грн
15000+11.90 грн
21000+11.51 грн
30000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1877+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 1877
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1877+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 1877
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.75 грн
6000+15.40 грн
9000+14.71 грн
15000+13.44 грн
21000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.77 грн
6000+15.20 грн
9000+14.76 грн
15000+13.77 грн
21000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.35 грн
6000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+22.79 грн
33+18.69 грн
36+16.93 грн
100+15.28 грн
250+13.36 грн
500+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.71 грн
500+17.60 грн
1500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.58 грн
50+34.73 грн
100+24.71 грн
500+17.60 грн
1500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : onsemi / Fairchild fdc638apz-d.pdf MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 26362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.73 грн
10+37.05 грн
100+22.10 грн
500+17.56 грн
1000+15.40 грн
3000+12.72 грн
9000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 36741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.37 грн
10+39.38 грн
100+25.57 грн
500+18.40 грн
1000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI FDC638APZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI FDC638APZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.