Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC638APZ
FDC638APZ

FDC638APZ ON Semiconductor

fdc638apz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638APZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC638APZ за ціною від 11.51 грн до 61.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.94 грн
6000+13.93 грн
9000+13.48 грн
15000+12.07 грн
21000+11.67 грн
30000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1877+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 1877
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1877+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 1877
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.81 грн
6000+15.24 грн
9000+14.80 грн
15000+13.80 грн
21000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.38 грн
6000+17.81 грн
9000+17.02 грн
15000+15.54 грн
21000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.40 грн
6000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.06 грн
500+17.84 грн
1500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+26.37 грн
33+21.62 грн
36+19.59 грн
100+17.67 грн
250+15.45 грн
500+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.22 грн
50+35.21 грн
100+25.06 грн
500+17.84 грн
1500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2EEEB21AFE28&compId=FDC638APZ.pdf?ci_sign=a34f74f506be412f57245585a89a9daaa27d7866 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.25 грн
11+36.08 грн
50+26.96 грн
68+13.76 грн
185+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2EEEB21AFE28&compId=FDC638APZ.pdf?ci_sign=a34f74f506be412f57245585a89a9daaa27d7866 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.90 грн
10+44.96 грн
50+32.35 грн
68+16.51 грн
185+15.56 грн
6000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : onsemi / Fairchild fdc638apz-d.pdf MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 26362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.54 грн
10+37.58 грн
100+22.41 грн
500+17.81 грн
1000+15.62 грн
3000+12.90 грн
9000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 36741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.22 грн
10+39.93 грн
100+25.93 грн
500+18.66 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.