Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6401N
FDC6401N

FDC6401N ON Semiconductor

3674884010602625fdc6401n.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6401N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6401N за ціною від 13.47 грн до 79.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi fdc6401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.06 грн
6000+16.04 грн
9000+15.36 грн
15000+14.08 грн
21000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1492+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 1492
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.71 грн
6000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.30 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+31.32 грн
476+25.65 грн
501+24.39 грн
563+20.92 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+37.01 грн
21+29.99 грн
25+29.09 грн
100+22.96 грн
250+20.22 грн
500+17.27 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.95 грн
50+42.67 грн
100+29.30 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI FDC6401N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.02 грн
10+40.16 грн
40+22.68 грн
109+21.46 грн
500+21.30 грн
1000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi fdc6401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 119349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.42 грн
10+43.91 грн
100+28.59 грн
500+20.82 грн
1000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi / Fairchild fdc6401n-d.pdf MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.87 грн
10+48.14 грн
100+28.10 грн
500+22.88 грн
1000+20.38 грн
3000+16.99 грн
6000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI FDC6401N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.23 грн
10+50.04 грн
40+27.22 грн
109+25.75 грн
500+25.56 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.