Продукція > ONSEMI > FDC6401N
FDC6401N

FDC6401N ONSEMI

2304305.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+33.42 грн
500+24.38 грн
1500+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6401N ONSEMI

Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6401N за ціною від 14.15 грн до 72.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC6401N FDC6401N ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.39 грн
50+46.55 грн
100+33.42 грн
500+24.38 грн
1500+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI FDC6401N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3A
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.70 грн
8+55.34 грн
10+48.45 грн
50+33.49 грн
100+28.50 грн
500+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N onsemi / Fairchild FDC6401N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.00 грн
10+44.54 грн
100+25.27 грн
500+19.61 грн
1000+17.47 грн
3000+15.33 грн
6000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N 2304305.pdf
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+70.39 грн
50+46.55 грн
100+33.42 грн
500+24.38 грн
1500+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N.pdf
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3A
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.70 грн
8+55.34 грн
10+48.45 грн
50+33.49 грн
100+28.50 грн
500+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N-D.PDF
FDC6401N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.00 грн
10+44.54 грн
100+25.27 грн
500+19.61 грн
1000+17.47 грн
3000+15.33 грн
6000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.