Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6401N
FDC6401N

FDC6401N ON Semiconductor

3674884010602625fdc6401n.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6401N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6401N за ціною від 14.16 грн до 90.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi fdc6401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.99 грн
6000+16.87 грн
9000+16.14 грн
15000+14.39 грн
21000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.09 грн
6000+20.32 грн
9000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.46 грн
6000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.66 грн
6000+21.76 грн
9000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1249+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 1249
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.35 грн
500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
407+31.38 грн
497+25.71 грн
500+25.57 грн
579+21.29 грн
1000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 407
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+39.83 грн
22+33.76 грн
25+33.62 грн
100+26.56 грн
250+24.46 грн
500+20.27 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.99 грн
10+41.00 грн
25+34.93 грн
50+30.26 грн
100+26.08 грн
500+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.59 грн
10+51.10 грн
25+41.92 грн
50+36.31 грн
100+31.29 грн
500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi fdc6401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 138732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.64 грн
10+46.17 грн
100+30.21 грн
500+21.89 грн
1000+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi / Fairchild FDC6401N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.11 грн
10+50.79 грн
100+28.81 грн
500+22.36 грн
1000+19.92 грн
3000+17.48 грн
6000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI fdc6401n-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.08 грн
50+56.17 грн
100+36.74 грн
500+26.41 грн
1500+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.