Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6401N
FDC6401N

FDC6401N ON Semiconductor

3674884010602625fdc6401n.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6401N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6401N за ціною від 15.13 грн до 79.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi fdc6401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.29 грн
6000+16.25 грн
9000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.43 грн
6000+19.71 грн
9000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.78 грн
6000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.95 грн
6000+21.11 грн
9000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1249+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 1249
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.41 грн
500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
407+30.44 грн
497+24.94 грн
500+24.80 грн
579+20.65 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 407
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.64 грн
22+32.75 грн
25+32.61 грн
100+25.76 грн
250+23.73 грн
500+19.66 грн
1000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.40 грн
10+39.77 грн
25+33.89 грн
50+29.35 грн
100+25.30 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.08 грн
50+44.29 грн
100+30.41 грн
500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.68 грн
10+49.57 грн
25+40.67 грн
50+35.22 грн
100+30.36 грн
500+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi fdc6401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 13190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.52 грн
10+44.47 грн
100+29.11 грн
500+21.09 грн
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi / Fairchild FDC6401N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.65 грн
10+49.27 грн
100+27.95 грн
500+21.69 грн
1000+19.32 грн
3000+16.95 грн
6000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.