Продукція > ONSEMI > FDC6401N
FDC6401N

FDC6401N onsemi

FDC6401N-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.53 грн
6000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6401N onsemi

Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6401N за ціною від 17.66 грн до 75.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.48 грн
6000+22.52 грн
9000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.49 грн
6000+22.53 грн
9000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.89 грн
6000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1249+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 1249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+34.78 грн
497+28.49 грн
500+28.34 грн
579+23.59 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.20 грн
22+34.93 грн
25+34.78 грн
100+27.48 грн
250+25.31 грн
500+20.97 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI FDC6401N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3A
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.54 грн
8+55.22 грн
10+48.34 грн
50+33.41 грн
100+28.44 грн
500+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N onsemi FDC6401N-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 74990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+45.67 грн
100+29.84 грн
500+21.62 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N onsemi / Fairchild FDC6401N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.48 грн
6000+22.52 грн
9000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.49 грн
6000+22.53 грн
9000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.89 грн
6000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1249+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 1249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
407+34.78 грн
497+28.49 грн
500+28.34 грн
579+23.59 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.20 грн
22+34.93 грн
25+34.78 грн
100+27.48 грн
250+25.31 грн
500+20.97 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N.pdf
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3A
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.54 грн
8+55.22 грн
10+48.34 грн
50+33.41 грн
100+28.44 грн
500+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N-D.PDF
FDC6401N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 74990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.94 грн
10+45.67 грн
100+29.84 грн
500+21.62 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N-D.PDF
FDC6401N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N 2304305.pdf
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N 2304305.pdf
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.