Продукція > ONSEMI > FDC6401N
FDC6401N

FDC6401N onsemi

FDC6401N-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.99 грн
6000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6401N onsemi

Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6401N за ціною від 18.25 грн до 87.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.30 грн
6000+23.27 грн
9000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.31 грн
6000+23.28 грн
9000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.72 грн
6000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1249+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 1249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+35.95 грн
497+29.45 грн
500+29.29 грн
579+24.38 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.58 грн
22+36.09 грн
25+35.95 грн
100+28.39 грн
250+26.15 грн
500+21.67 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+53.39 грн
500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI FDC6401N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 106mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6nC
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.79 грн
8+53.62 грн
10+46.08 грн
50+32.34 грн
100+28.32 грн
500+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N onsemi FDC6401N-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 70038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.73 грн
10+46.22 грн
50+34.13 грн
100+28.35 грн
500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.03 грн
15+55.39 грн
50+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N onsemi FDC6401N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 39710 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+87.48 грн
10+40.13 грн
100+30.81 грн
500+23.91 грн
1000+21.68 грн
3000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.30 грн
6000+23.27 грн
9000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.31 грн
6000+23.28 грн
9000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.72 грн
6000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1249+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 1249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
407+35.95 грн
497+29.45 грн
500+29.29 грн
579+24.38 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+42.58 грн
22+36.09 грн
25+35.95 грн
100+28.39 грн
250+26.15 грн
500+21.67 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
274+53.39 грн
500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N.pdf
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 106mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6nC
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.79 грн
8+53.62 грн
10+46.08 грн
50+32.34 грн
100+28.32 грн
500+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N-D.PDF
FDC6401N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 70038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.73 грн
10+46.22 грн
50+34.13 грн
100+28.35 грн
500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.03 грн
15+55.39 грн
50+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N-D.PDF
FDC6401N
Виробник: onsemi
MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 39710 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.48 грн
10+40.13 грн
100+30.81 грн
500+23.91 грн
1000+21.68 грн
3000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N 2304305.pdf
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N fdc6401n-d.pdf
FDC6401N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N 2304305.pdf
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.