Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6401N
FDC6401N

FDC6401N ON Semiconductor

fdc6401n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.40 грн
6000+20.60 грн
9000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6401N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC6401N за ціною від 14.00 грн до 81.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.77 грн
6000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.99 грн
6000+22.07 грн
9000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1249+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 1249
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.28 грн
500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
407+31.81 грн
497+26.06 грн
500+25.92 грн
579+21.58 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 407
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+40.38 грн
22+34.22 грн
25+34.09 грн
100+26.93 грн
250+24.80 грн
500+20.55 грн
1000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI FDC6401N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.49 грн
10+43.97 грн
50+30.16 грн
100+25.64 грн
500+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi / Fairchild FDC6401N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.21 грн
10+44.05 грн
100+24.99 грн
500+19.39 грн
1000+17.27 грн
3000+15.16 грн
6000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI FDC6401N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.59 грн
10+54.79 грн
50+36.19 грн
100+30.77 грн
500+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ONSEMI fdc6401n-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.25 грн
50+50.66 грн
100+33.14 грн
500+23.82 грн
1500+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : ON Semiconductor fdc6401n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi fdc6401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N Виробник : onsemi fdc6401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.