на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.35 грн |
| 6000+ | 20.56 грн |
| 9000+ | 19.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6401N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDC6401N за ціною від 14.29 грн до 82.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC6401N | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6401N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6401N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6401N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6401N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6401N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6401N | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: PowerTrench® Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A Gate charge: 4.6nC On-state resistance: 106mΩ Power dissipation: 0.96W Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 1426 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6401N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench |
на замовлення 15951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6401N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6401N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDC6401N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDC6401N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
товару немає в наявності |