Продукція > ONSEMI > FDC642P-F085PBK
FDC642P-F085PBK

FDC642P-F085PBK ONSEMI

4643389.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+20.94 грн
500+18.53 грн
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC642P-F085PBK ONSEMI

Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: POWERTRENCH Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

Інші пропозиції FDC642P-F085PBK за ціною від 16.76 грн до 41.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDC642P-F085PBK FDC642P-F085PBK onsemi FDC642P_F085-D.PDF MOSFETs PMOS SSOT6 20V 65 MOHM
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.30 грн
13+25.62 грн
100+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PBK FDC642P-F085PBK ONSEMI 4643389.pdf Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.30 грн
32+25.99 грн
100+20.94 грн
500+18.53 грн
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PBK FDC642P_F085-D.PDF
FDC642P-F085PBK
Виробник: onsemi
MOSFETs PMOS SSOT6 20V 65 MOHM
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.30 грн
13+25.62 грн
100+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PBK 4643389.pdf
FDC642P-F085PBK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+41.30 грн
32+25.99 грн
100+20.94 грн
500+18.53 грн
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.