Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC642P
FDC642P

FDC642P ON Semiconductor

fdc642p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1755+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 1755
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC642P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC642P за ціною від 7.66 грн до 70.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.94 грн
6000+13.00 грн
9000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : onsemi fdc642p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.61 грн
6000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.92 грн
6000+13.92 грн
9000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003579657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 15835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1371+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 1371
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1714+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 1714
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1714+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 1714
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
492+25.85 грн
496+25.61 грн
501+25.38 грн
505+24.26 грн
1000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+26.44 грн
35+21.13 грн
100+15.94 грн
500+11.98 грн
1000+9.70 грн
3000+7.80 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+27.94 грн
27+27.70 грн
100+26.46 грн
250+24.28 грн
500+23.10 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.02 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : onsemi fdc642p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.17 грн
11+31.55 грн
100+23.74 грн
500+17.04 грн
1000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : onsemi / Fairchild FDC642P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 20787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.75 грн
11+34.01 грн
100+22.52 грн
500+17.52 грн
1000+15.78 грн
3000+13.24 грн
6000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ONSEMI fdc642p-d.pdf ONSM-S-A0003579657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.35 грн
21+43.94 грн
100+28.37 грн
500+20.23 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.