Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC642P
FDC642P

FDC642P ON Semiconductor

fdc642p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1755+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 1755
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC642P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC642P за ціною від 7.46 грн до 43.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : onsemi fdc642p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.07 грн
6000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003579657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 15835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1371+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 1371
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1718+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 1718
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1718+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 1718
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.38 грн
6000+17.13 грн
9000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.67 грн
6000+18.34 грн
9000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
501+24.74 грн
503+24.63 грн
505+24.52 грн
508+23.54 грн
1000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 501
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+25.77 грн
35+20.59 грн
100+15.46 грн
500+11.67 грн
1000+9.45 грн
3000+7.60 грн
6000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ON Semiconductor fdc642p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+26.51 грн
100+25.45 грн
250+23.45 грн
500+22.42 грн
1000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.99 грн
500+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : onsemi fdc642p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.65 грн
11+30.39 грн
100+22.86 грн
500+16.41 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : onsemi / Fairchild FDC642P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 20787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.63 грн
11+32.06 грн
100+21.38 грн
500+16.88 грн
1000+15.20 грн
3000+12.60 грн
6000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P FDC642P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.43 грн
25+34.78 грн
100+26.99 грн
500+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P Виробник : ONSEMI fdc642p-d.pdf ONSM-S-A0003579657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.2W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.