FDC6432SH

FDC6432SH Fairchild Semiconductor


FAIRS21043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
на замовлення 45128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
466+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6432SH Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V, Power - Max: 700mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDC6432SH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6432SH FAIRS21043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDC6432SH.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SH FDC6432SH Виробник : onsemi FDC6432SH.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.