FDC6432SH

FDC6432SH ONSEMI


FAIRS21043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6432SH - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
822+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 822
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6432SH ONSEMI

Description: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6.

Інші пропозиції FDC6432SH за ціною від 39.32 грн до 47.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6432SH FDC6432SH Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS21043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 45128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
466+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SH FDC6432SH Виробник : ON Semiconductor fdc6432sh.pdf Trans MOSFET P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
647+47.83 грн
1000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SH FDC6432SH Виробник : ON Semiconductor fdc6432sh.pdf Trans MOSFET P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
647+47.83 грн
1000+44.10 грн
10000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SH FAIRS21043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDC6432SH.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SH Виробник : ON Semiconductor fdc6432sh.pdf Trans MOSFET P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SH FDC6432SH Виробник : onsemi FDC6432SH.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.