Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC645N
FDC645N

FDC645N ON Semiconductor

3664203776275720fdc645n.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.03 грн
6000+ 14.88 грн
9000+ 14.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC645N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDC645N за ціною від 11.68 грн до 50.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor 3664203776275720fdc645n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor 3664203776275720fdc645n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
601+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 601
FDC645N FDC645N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.86 грн
500+ 21 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC645N FDC645N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDC645N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 154412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1174+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 1174
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor 3664203776275720fdc645n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 29294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+32.49 грн
20+ 29.01 грн
100+ 22.62 грн
500+ 18.97 грн
1000+ 15.22 грн
3000+ 12.04 грн
6000+ 11.92 грн
9000+ 11.8 грн
24000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDC645N FDC645N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+35.8 грн
25+ 26.15 грн
42+ 19.37 грн
115+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor 3664203776275720fdc645n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+42.48 грн
16+ 37.26 грн
25+ 34.82 грн
100+ 25.1 грн
250+ 23 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 13.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDC645N FDC645N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.96 грн
25+ 32.58 грн
42+ 23.24 грн
115+ 21.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC645N FDC645N Виробник : onsemi / Fairchild FDC645N_D-2311906.pdf MOSFET SSOT-6 N-CH
на замовлення 9301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.46 грн
10+ 37.39 грн
100+ 22.57 грн
500+ 18.89 грн
1000+ 16.09 грн
3000+ 14.22 грн
6000+ 13.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC645N FDC645N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+50.48 грн
18+ 41.86 грн
100+ 27.86 грн
500+ 21 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDC645N Виробник : onsemi ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC645N Виробник : onsemi ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 3699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.72 грн
10+ 33.31 грн
100+ 23.07 грн
500+ 18.09 грн
1000+ 15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor 3664203776275720fdc645n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній