Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC645N
FDC645N

FDC645N ON Semiconductor

fdc645nd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 29088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+13.89 грн
100+13.57 грн
500+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC645N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC645N за ціною від 16.76 грн до 77.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor 3664203776275720fdc645n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : onsemi FDC645N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 154287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1145+26.97 грн
10000+24.05 грн
100000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 1145
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.13 грн
500+23.81 грн
1500+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+50.36 грн
358+34.49 грн
366+33.82 грн
500+26.54 грн
1000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ONSEMI FDC645N-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 48mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.70 грн
10+39.92 грн
50+29.92 грн
100+26.43 грн
200+23.49 грн
500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ONSEMI FDC645N-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 48mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.64 грн
10+49.74 грн
50+35.90 грн
100+31.71 грн
200+28.19 грн
500+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : onsemi / Fairchild FDC645N-D.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.28 грн
10+47.66 грн
100+28.34 грн
500+23.16 грн
1000+20.95 грн
3000+18.51 грн
6000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 17376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+68.82 грн
250+49.47 грн
500+48.98 грн
1000+32.55 грн
3000+30.06 грн
6000+23.07 грн
12000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ONSEMI FDC645N-D.pdf Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.50 грн
50+52.73 грн
100+36.07 грн
500+27.46 грн
1500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.25 грн
14+54.14 грн
25+53.96 грн
100+35.64 грн
250+32.35 грн
500+25.27 грн
1000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : onsemi FDC645N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.47 грн
10+46.74 грн
100+30.64 грн
500+22.26 грн
1000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N Виробник : ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.