FDC645N ON Semiconductor


fdc645nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 29088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+14.85 грн
100+14.51 грн
500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC645N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC645N за ціною від 18.86 грн до 78.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC645N FDC645N onsemi FDC645N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 154287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+30.89 грн
10000+27.54 грн
100000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.10 грн
20+38.41 грн
32+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+45.91 грн
385+36.79 грн
500+31.48 грн
1000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.29 грн
100+37.09 грн
500+31.75 грн
1000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N onsemi FDC645N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.97 грн
100+29.48 грн
500+21.42 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.66 грн
8+58.54 грн
10+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 17376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.83 грн
250+56.67 грн
500+56.10 грн
1000+37.28 грн
3000+34.43 грн
6000+26.43 грн
12000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N onsemi / Fairchild FDC645N-D.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ON Semiconductor fdc645nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ONSEMI ONSM-S-A0003586841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N fdc645nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N fdc645nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N fdc645nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N fdc645nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 154287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1145+30.89 грн
10000+27.54 грн
100000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N fdc645nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.10 грн
20+38.41 грн
32+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N fdc645nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
309+45.91 грн
385+36.79 грн
500+31.48 грн
1000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N fdc645nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.29 грн
100+37.09 грн
500+31.75 грн
1000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.54 грн
10+44.97 грн
100+29.48 грн
500+21.42 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+77.66 грн
8+58.54 грн
10+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N fdc645nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 17376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+78.83 грн
250+56.67 грн
500+56.10 грн
1000+37.28 грн
3000+34.43 грн
6000+26.43 грн
12000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 N-CH
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N fdc645nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N ONSM-S-A0003586841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.