Продукція > ONSEMI > FDC645N
FDC645N

FDC645N onsemi

FDC645N-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC645N onsemi

Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC645N за ціною від 15.19 грн до 73.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC645N FDC645N onsemi / Fairchild FDC645N-D.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+43.19 грн
100+25.68 грн
500+20.99 грн
1000+18.98 грн
3000+16.78 грн
6000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.26 грн
50+49.69 грн
100+33.99 грн
500+25.88 грн
1500+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N onsemi FDC645N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+44.05 грн
100+28.88 грн
500+20.98 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
FDC645N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 N-CH
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.97 грн
10+43.19 грн
100+25.68 грн
500+20.99 грн
1000+18.98 грн
3000+16.78 грн
6000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
FDC645N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+69.26 грн
50+49.69 грн
100+33.99 грн
500+25.88 грн
1500+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
FDC645N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.00 грн
10+44.05 грн
100+28.88 грн
500+20.98 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.