FDC855N onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC855N onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDC855N за ціною від 15.70 грн до 66.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC855N | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V Single NCh Logic Level PowerTrench |
на замовлення 12776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC855N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 3487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDC855N | FAIRCHILD |
|
на замовлення 2660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDC855N |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V Single NCh Logic Level PowerTrench
MOSFETs 30V Single NCh Logic Level PowerTrench
на замовлення 12776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.92 грн |
| 10+ | 37.71 грн |
| 100+ | 23.97 грн |
| 500+ | 18.94 грн |
| 1000+ | 17.15 грн |
| 3000+ | 15.77 грн |
| 6000+ | 15.70 грн |
| FDC855N |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.64 грн |
| 10+ | 40.07 грн |
| 100+ | 26.18 грн |
| 500+ | 18.94 грн |
| 1000+ | 17.13 грн |


