Продукція > ONSEMI > FDC8602
FDC8602

FDC8602 onsemi

fdc8602-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 690mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.63 грн
6000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC8602 onsemi

Description: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC8602 за ціною від 34.19 грн до 160.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC8602 FDC8602 Виробник : ON Semiconductor fdc8602d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602 FDC8602 Виробник : ON Semiconductor fdc8602d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602 FDC8602 Виробник : ONSEMI fdc8602-d.pdf Description: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.14 грн
500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602 FDC8602 Виробник : onsemi fdc8602-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 690mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 7167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.63 грн
10+84.89 грн
100+57.50 грн
500+42.95 грн
1000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602 FDC8602 Виробник : onsemi / Fairchild FDC8602-D.PDF MOSFETs NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 9092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.52 грн
10+90.67 грн
100+53.22 грн
500+42.41 грн
1000+39.49 грн
3000+34.46 грн
6000+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602 FDC8602 Виробник : ONSEMI fdc8602-d.pdf Description: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+159.38 грн
50+102.29 грн
100+69.14 грн
500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602 FDC8602 Виробник : ON Semiconductor fdc8602d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+160.54 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602 FDC8602 Виробник : ON Semiconductor fdc8602d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8602 FDC8602 Виробник : ON Semiconductor fdc8602d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.