Продукція > ONSEMI > FDC8878
FDC8878

FDC8878 onsemi

fdc8878-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.84 грн
6000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC8878 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDC8878 за ціною від 32.07 грн до 61.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
357+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 357
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
667+45.86 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 667
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
667+45.86 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 667
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
667+45.86 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 667
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 50248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
667+45.86 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 667
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.66 грн
25+52.13 грн
100+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : onsemi fdc8878-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 100194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.32 грн
10+52.11 грн
100+45.46 грн
500+36.55 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : onsemi / Fairchild fdc8878-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.80 грн
10+58.32 грн
100+43.92 грн
500+39.31 грн
1000+37.28 грн
3000+32.60 грн
6000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 Виробник : ON Semiconductor fdc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 Виробник : ONSEMI fdc8878-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 Виробник : ONSEMI fdc8878-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.