FDC8878 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 34.22 грн |
| 6000+ | 31.36 грн |
| 9000+ | 31.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC8878 onsemi
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.012 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDC8878 за ціною від 30.84 грн до 54.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 50248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC8878 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V |
на замовлення 71723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC8878 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 15527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC8878 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.012 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDC8878 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SuperSOT-6 Polarisation: unipolar On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 1.6W Drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V |
товару немає в наявності |