Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC8878
FDC8878

FDC8878 ON Semiconductor

fdc8878d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
366+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC8878 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.

Інші пропозиції FDC8878 за ціною від 39.35 грн до 130.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC8878 FDC8878 ON Semiconductor fdc8878d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ON Semiconductor fdc8878d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.25 грн
326+43.48 грн
500+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ON Semiconductor fdc8878d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.43 грн
17+46.25 грн
100+43.48 грн
500+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ON Semiconductor fdc8878d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+54.84 грн
269+52.76 грн
295+48.10 грн
500+45.35 грн
1000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ON Semiconductor fdc8878d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.28 грн
15+53.19 грн
100+48.49 грн
500+45.72 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ON Semiconductor fdc8878d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+72.02 грн
546+64.81 грн
1000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ON Semiconductor fdc8878d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 50248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+72.02 грн
546+64.81 грн
1000+59.77 грн
10000+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ON Semiconductor fdc8878d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+72.02 грн
546+64.81 грн
1000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ON Semiconductor fdc8878d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+72.02 грн
546+64.81 грн
1000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 onsemi FDC8878-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.04 грн
10+79.49 грн
50+59.74 грн
100+50.08 грн
500+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ONSEMI 2572503.pdf Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 onsemi / Fairchild FDC8878-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 15527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 onsemi FDC8878-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ONSEMI 2572503.pdf Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 fdc8878d.pdf
FDC8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 fdc8878d.pdf
FDC8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
306+46.25 грн
326+43.48 грн
500+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 fdc8878d.pdf
FDC8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+47.43 грн
17+46.25 грн
100+43.48 грн
500+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 fdc8878d.pdf
FDC8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+54.84 грн
269+52.76 грн
295+48.10 грн
500+45.35 грн
1000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 fdc8878d.pdf
FDC8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+55.28 грн
15+53.19 грн
100+48.49 грн
500+45.72 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 fdc8878d.pdf
FDC8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
491+72.02 грн
546+64.81 грн
1000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 fdc8878d.pdf
FDC8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 50248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
491+72.02 грн
546+64.81 грн
1000+59.77 грн
10000+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 fdc8878d.pdf
FDC8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
491+72.02 грн
546+64.81 грн
1000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 fdc8878d.pdf
FDC8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
491+72.02 грн
546+64.81 грн
1000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878-D.pdf
FDC8878
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.04 грн
10+79.49 грн
50+59.74 грн
100+50.08 грн
500+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 2572503.pdf
FDC8878
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878-D.pdf
FDC8878
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 15527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878-D.pdf
FDC8878
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 2572503.pdf
FDC8878
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.