Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDC8886
FDC8886

FDC8886 Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
на замовлення 124596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1575+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC8886 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDC8886 за ціною від 13.28 грн до 61.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC8886 FDC8886 onsemi fdc8886-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.01 грн
6000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 onsemi fdc8886-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+37.46 грн
100+24.29 грн
500+17.46 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 onsemi / Fairchild FDC8886-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 ON Semiconductor fdc8886-d.pdf FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 fdc8886-d.pdf
FDC8886
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.01 грн
6000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 fdc8886-d.pdf
FDC8886
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.99 грн
10+37.46 грн
100+24.29 грн
500+17.46 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886-D.pdf
FDC8886
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 fdc8886-d.pdf FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.