Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC8886
FDC8886

FDC8886 ON Semiconductor

fdc8886-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
972+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 972
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC8886 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDC8886 за ціною від 11.69 грн до 67.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC8886 FDC8886 Виробник : ON Semiconductor fdc8886-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 124596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1575+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 1575
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 Виробник : onsemi fdc8886-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.23 грн
6000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 Виробник : ON Semiconductor fdc8886-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+19.82 грн
40+18.09 грн
100+16.24 грн
500+15.35 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 Виробник : onsemi / Fairchild FDC8886-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+35.78 грн
14+25.92 грн
100+16.96 грн
500+16.42 грн
1000+14.95 грн
3000+12.00 грн
6000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 Виробник : onsemi fdc8886-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.02 грн
10+40.50 грн
100+26.26 грн
500+18.88 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 Виробник : ON Semiconductor fdc8886-d.pdf FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 Виробник : ON Semiconductor 3653486337806313fdc8886.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 Виробник : ON Semiconductor fdc8886-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 Виробник : ON Semiconductor fdc8886-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 Виробник : ON Semiconductor fdc8886-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 Виробник : ONSEMI fdc8886-d.pdf FAIR-S-A0002365754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; Idm: 25A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.