Продукція > ONSEMI > FDC8886
FDC8886

FDC8886 onsemi

FDC8886-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.87 грн
6000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC8886 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDC8886 за ціною від 14.35 грн до 63.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC8886 FDC8886 ON Semiconductor fdc8886-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
972+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 ON Semiconductor fdc8886-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 ON Semiconductor fdc8886-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.08 грн
40+19.24 грн
100+17.28 грн
500+16.33 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 onsemi FDC8886-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.12 грн
50+28.03 грн
100+23.23 грн
500+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886 onsemi / Fairchild FDC8886-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 ON Semiconductor FDC8886-D.pdf
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 fdc8886-d.pdf
FDC8886
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
972+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 fdc8886-d.pdf
FDC8886
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 fdc8886-d.pdf
FDC8886
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+21.08 грн
40+19.24 грн
100+17.28 грн
500+16.33 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886-D.pdf
FDC8886
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.49 грн
10+38.12 грн
50+28.03 грн
100+23.23 грн
500+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886-D.pdf
FDC8886
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8886 FDC8886-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.