Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDD10AN06A0_F085

FDD10AN06A0_F085 Fairchild Semiconductor

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK

на замовлення 955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDD10AN06A0_F085 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDD10AN06A0_F085

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDD10AN06A0_F085	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK	на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDD10AN06A0-F085	Виробник : ON Semiconductor / Fairchild	MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET	на замовлення 6044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDD10AN06A0-F085	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDD10AN06A0_F085	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDD10AN06A0-F085	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDD10AN06A0-F085	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.