Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD10AN06A0

FDD10AN06A0

FDD10AN06A0-D.PDF
Код товару: 149870
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD10AN06A0 за ціною від 56.61 грн до 201.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 onsemi FDD10AN06A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.75 грн
5000+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.14 грн
5000+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ONSEMI FDD10AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 135W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.72 грн
25+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.57 грн
10+116.61 грн
25+115.45 грн
100+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.57 грн
122+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 onsemi FDD10AN06A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.77 грн
10+125.54 грн
100+86.33 грн
500+65.28 грн
1000+61.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 onsemi FDD10AN06A0-D.PDF MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
на замовлення 8084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0-D.PDF
FDD10AN06A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 fdd10an06a0-d.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+76.75 грн
5000+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 fdd10an06a0-d.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+77.14 грн
5000+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 135W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.72 грн
25+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 fdd10an06a0-d.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+139.57 грн
10+116.61 грн
25+115.45 грн
100+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 fdd10an06a0-d.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
102+139.57 грн
122+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0-D.PDF
FDD10AN06A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.77 грн
10+125.54 грн
100+86.33 грн
500+65.28 грн
1000+61.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0-D.PDF
FDD10AN06A0
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
на замовлення 8084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.