Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD10AN06A0

FDD10AN06A0

FDD10AN06A0-D.PDF
Код товару: 149870
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD10AN06A0 за ціною від 63.96 грн до 229.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ONSEMI FDD10AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.02 грн
25+88.04 грн
100+86.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.44 грн
10+122.61 грн
25+114.71 грн
100+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ON Semiconductor fdd10an06a0d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+147.44 грн
119+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 onsemi FDD10AN06A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.60 грн
10+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 onsemi FDD10AN06A0-D.PDF MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+229.26 грн
10+146.43 грн
100+88.32 грн
500+73.45 грн
1000+67.71 грн
2500+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 fdd10an06a0d.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+87.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 fdd10an06a0d.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.02 грн
25+88.04 грн
100+86.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 fdd10an06a0d.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+147.44 грн
10+122.61 грн
25+114.71 грн
100+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 fdd10an06a0d.pdf
FDD10AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+147.44 грн
119+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0-D.PDF
FDD10AN06A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.60 грн
10+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0-D.PDF
FDD10AN06A0
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.26 грн
10+146.43 грн
100+88.32 грн
500+73.45 грн
1000+67.71 грн
2500+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.