Продукція > ONSEMI > FDD10AN06A0
FDD10AN06A0

FDD10AN06A0 onsemi

FDD10AN06A0-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD10AN06A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD10AN06A0 за ціною від 63.78 грн до 180.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdd10an06-f085jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE4D9205AC7E28&compId=FDD10AN06A0.pdf?ci_sign=4e052e6efe0be8d0f631debf2d61922496e87d06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.10 грн
25+84.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE4D9205AC7E28&compId=FDD10AN06A0.pdf?ci_sign=4e052e6efe0be8d0f631debf2d61922496e87d06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.39 грн
5+111.03 грн
25+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Виробник : onsemi FDD10AN06A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.39 грн
10+114.15 грн
100+82.13 грн
500+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDD10AN06A0_D-2312162.pdf MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.86 грн
10+133.49 грн
100+87.82 грн
500+70.49 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 Виробник : ON-Semicoductor FDD10AN06A0-D.PDF N-Channel 60V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA FDD10AN06A0-F085; FDD10AN06A0; FDD10AN06A0 TFDD10an06a0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0
Код товару: 149870
Додати до обраних Обраний товар

FDD10AN06A0-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.