Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD10AN06A0
FDD10AN06A0

FDD10AN06A0 ON Semiconductor

fdd10an06-f085jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD10AN06A0 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD10AN06A0 за ціною від 55.14 грн до 179.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Виробник : ONSEMI FDD10AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.34 грн
5+104.80 грн
10+96.13 грн
27+90.61 грн
500+86.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Виробник : ONSEMI FDD10AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.61 грн
5+130.59 грн
10+115.35 грн
27+108.74 грн
500+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Виробник : onsemi ONSM-S-A0003157815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.65 грн
10+107.32 грн
100+76.74 грн
500+59.29 грн
1000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDD10AN06A0_D-2312162.pdf MOSFETs 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.15 грн
10+132.22 грн
100+86.99 грн
500+69.82 грн
1000+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 Виробник : ON-Semicoductor ONSM-S-A0003157815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-Channel 60V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA FDD10AN06A0-F085; FDD10AN06A0; FDD10AN06A0 TFDD10an06a0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0
Код товару: 149870
Додати до обраних Обраний товар

ONSM-S-A0003157815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Виробник : onsemi ONSM-S-A0003157815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.