на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.63 грн |
| 10+ | 61.96 грн |
| 100+ | 41.29 грн |
| 500+ | 32.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD10N20LZTM onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD10N20LZTM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD10N20LZTM | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDD10N20LZTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.5A; Idm: 30A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
FDD10N20LZTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
FDD10N20LZTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.5A; Idm: 30A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |