Технічний опис FDD120AN15A0 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 65W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.
Інші пропозиції FDD120AN15A0 за ціною від 32.75 грн до 95.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD120AN15A0 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD120AN15A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD120AN15A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD120AN15A0 | ON-Semiconductor |
N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD120AN15A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD120AN15A0 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DPAK On-state resistance: 282mΩ Power dissipation: 65W Gate charge: 14.5nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 14A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V |
на замовлення 1379 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD120AN15A0 | onsemi |
MOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm |
на замовлення 3595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
FDD120AN15A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 65W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
FDD120AN15A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 65W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDD120AN15A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.51 грн |
| FDD120AN15A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.18 грн |
| 5000+ | 32.75 грн |
| FDD120AN15A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.36 грн |
| 5000+ | 32.91 грн |
| FDD120AN15A0 |
|
Виробник: ON-Semiconductor
N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0
кількість в упаковці: 50 шт
N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 36.47 грн |
| FDD120AN15A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 332+ | 42.56 грн |
| 500+ | 39.06 грн |
| 1000+ | 38.53 грн |
| FDD120AN15A0 |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 282mΩ
Power dissipation: 65W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 282mΩ
Power dissipation: 65W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 95.52 грн |
| 6+ | 70.62 грн |
| 10+ | 61.67 грн |
| 50+ | 44.52 грн |
| 100+ | 38.91 грн |
| 500+ | 34.14 грн |
| FDD120AN15A0 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm
MOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDD120AN15A0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD120AN15A0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)