FDD120AN15A0 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.27 грн |
| 5000+ | 22.54 грн |
| 7500+ | 22.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD120AN15A0 onsemi
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.101 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDD120AN15A0 за ціною від 25.10 грн до 105.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD120AN15A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD120AN15A0 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.101 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD120AN15A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm |
на замовлення 24722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD120AN15A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
на замовлення 41013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD120AN15A0 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.101 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD120AN15A0 | Виробник : Fairchild |
N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD120AN15A0 | Виробник : ONSEMI |
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDD120AN15A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDD120AN15A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDD120AN15A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDD120AN15A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |