FDD13AN06A0-F085 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.13 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD13AN06A0-F085 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDD13AN06A0-F085 за ціною від 50.55 грн до 160.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD13AN06A0-F085 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDD13AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
на замовлення 225212500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDD13AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
FDD13AN06A0-F085 | onsemi |
MOSFETs Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab |
на замовлення 10672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDD13AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDD13AN06A0-F085 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.68 грн |
| 10+ | 99.25 грн |
| 50+ | 75.24 грн |
| 100+ | 63.33 грн |
| 500+ | 50.55 грн |
| FDD13AN06A0_F085 |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
на замовлення 225212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD13AN06A0_F085 |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD13AN06A0-F085 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
MOSFETs Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 10672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDD13AN06A0_F085 |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)