FDD13AN06A0-F085 onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.28 грн |
| 10+ | 69.31 грн |
| 25+ | 59.50 грн |
| 100+ | 53.65 грн |
| 500+ | 45.08 грн |
| 1000+ | 40.97 грн |
| 2500+ | 38.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD13AN06A0-F085 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V.
Інші пропозиції FDD13AN06A0-F085 за ціною від 43.49 грн до 79.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD13AN06A0-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AATechnology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel |
на замовлення 2135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD13AN06A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
на замовлення 225212500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
FDD13AN06A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
FDD13AN06A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
FDD13AN06A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FDD13AN06A0-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V |
товару немає в наявності |


