Продукція > ONSEMI > FDD13AN06A0-F085
FDD13AN06A0-F085

FDD13AN06A0-F085 onsemi

fdd13an06_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.48 грн
10+67.47 грн
100+60.07 грн
500+47.36 грн
1000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD13AN06A0-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDD13AN06A0-F085 за ціною від 41.59 грн до 84.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD13AN06A0-F085 FDD13AN06A0-F085 Виробник : onsemi / Fairchild fdd13an06_f085-d.pdf MOSFETs Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 18510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.81 грн
10+75.09 грн
25+64.47 грн
100+58.13 грн
500+48.84 грн
1000+44.39 грн
2500+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0_F085 FDD13AN06A0_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD13AN06_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
на замовлення 225212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0_F085 FDD13AN06A0_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD13AN06_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0_F085 FDD13AN06A0_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD13AN06_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085 FDD13AN06A0-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd13an06_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085 FDD13AN06A0-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd13an06_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0_F085 FDD13AN06A0_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD13AN06_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085 FDD13AN06A0-F085 Виробник : onsemi fdd13an06_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0-F085 Виробник : ONSEMI fdd13an06_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.