FDD13AN06A0 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 73.91 грн |
| 5000+ | 71.81 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD13AN06A0 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 115W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm.
Інші пропозиції FDD13AN06A0 за ціною від 59.03 грн до 213.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD13AN06A0 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 13577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD13AN06A0 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DPAK On-state resistance: 34mΩ Power dissipation: 115W Gate charge: 29nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD13AN06A0 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD13AN06A0 | onsemi |
MOSFETs N-Channel PwrTrench |
на замовлення 159 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD13AN06A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 115W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 115W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 74.29 грн |
| 5000+ | 72.17 грн |
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 303+ | 119.76 грн |
| 500+ | 107.79 грн |
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 303+ | 119.76 грн |
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 303+ | 119.76 грн |
| 500+ | 107.79 грн |
| 1000+ | 99.40 грн |
| 10000+ | 85.46 грн |
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 125.04 грн |
| 10+ | 107.79 грн |
| 25+ | 107.24 грн |
| 100+ | 87.46 грн |
| 250+ | 68.73 грн |
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 116+ | 125.04 грн |
| 135+ | 107.79 грн |
| 136+ | 107.24 грн |
| 160+ | 87.46 грн |
| 250+ | 68.73 грн |
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 115W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 115W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 173.52 грн |
| 10+ | 112.96 грн |
| 25+ | 95.51 грн |
| 50+ | 83.89 грн |
| 100+ | 78.90 грн |
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 192.51 грн |
| 10+ | 119.30 грн |
| 50+ | 90.97 грн |
| 100+ | 76.80 грн |
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PwrTrench
MOSFETs N-Channel PwrTrench
на замовлення 159 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.81 грн |
| 10+ | 135.42 грн |
| 100+ | 80.96 грн |
| 500+ | 65.80 грн |
| 1000+ | 61.24 грн |
| 2500+ | 59.03 грн |
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD13AN06A0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)