Продукція > ONSEMI > FDD13AN06A0
FDD13AN06A0

FDD13AN06A0 onsemi


fdd13an06a0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD13AN06A0 onsemi

Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDD13AN06A0 за ціною від 48.83 грн до 161.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdd13an06a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.32 грн
500+62.53 грн
1000+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDD13AN06A0_D-2312133.pdf MOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 7004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.04 грн
10+114.21 грн
100+78.72 грн
250+75.04 грн
500+65.92 грн
1000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 Виробник : onsemi fdd13an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 10942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.43 грн
10+95.95 грн
100+68.28 грн
500+52.58 грн
1000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.76 грн
50+110.59 грн
100+78.32 грн
500+62.53 грн
1000+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 Виробник : Fairchild fdd13an06a0-d.pdf N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK FDD13AN06A0 ON Semiconductor TFDD13an06a0
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 Виробник : ONSEMI fdd13an06a0-d.pdf FDD13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.71 грн
12+96.56 грн
31+91.04 грн
500+90.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.