Продукція > ONSEMI > FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZ

FDD1600N10ALZ onsemi

FDD1600N10ALZ-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.82 грн
5000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD1600N10ALZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDD1600N10ALZ за ціною від 18.28 грн до 115.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ UMW ab44999c83703219b46cb337c55306e3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.49 грн
10+42.82 грн
100+27.95 грн
500+20.22 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ onsemi / Fairchild FDD1600N10ALZ-D.pdf MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
на замовлення 13741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.84 грн
10+53.08 грн
100+37.85 грн
500+30.65 грн
1000+28.00 грн
2500+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ onsemi FDD1600N10ALZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 22669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.98 грн
10+67.10 грн
100+44.71 грн
500+32.94 грн
1000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ onsemi FDD1600N10ALZ-D.pdf ab44999c83703219b46cb337c55306e3.pdf MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
на замовлення 13198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.68 грн
10+67.69 грн
100+41.83 грн
500+31.84 грн
1000+29.05 грн
2500+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ ab44999c83703219b46cb337c55306e3.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.49 грн
10+42.82 грн
100+27.95 грн
500+20.22 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ-D.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
на замовлення 13741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+79.84 грн
10+53.08 грн
100+37.85 грн
500+30.65 грн
1000+28.00 грн
2500+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ-D.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 22669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+109.98 грн
10+67.10 грн
100+44.71 грн
500+32.94 грн
1000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ-D.pdf ab44999c83703219b46cb337c55306e3.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: onsemi
MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
на замовлення 13198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.68 грн
10+67.69 грн
100+41.83 грн
500+31.84 грн
1000+29.05 грн
2500+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.