Продукція > ONSEMI > FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZ

FDD1600N10ALZ onsemi

fdd1600n10alz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.43 грн
5000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD1600N10ALZ onsemi

Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.124 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 14.9W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDD1600N10ALZ за ціною від 26.71 грн до 107.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdd1600n10alz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ Виробник : ONSEMI 2572505.pdf Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.124 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.09 грн
500+36.94 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ Виробник : onsemi fdd1600n10alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.27 грн
10+64.22 грн
100+44.27 грн
500+32.84 грн
1000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ Виробник : ONSEMI 2572505.pdf Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.124 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.68 грн
50+68.00 грн
100+50.09 грн
500+36.94 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ Виробник : onsemi / Fairchild fdd1600n10alz-d.pdf MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
на замовлення 13623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.29 грн
10+69.71 грн
100+41.49 грн
500+33.03 грн
1000+29.80 грн
2500+27.66 грн
5000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ Виробник : ONSEMI fdd1600n10alz-d.pdf FDD1600N10ALZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.