Продукція > ONSEMI > FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZ

FDD1600N10ALZ onsemi

FDD1600N10ALZ-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.11 грн
5000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD1600N10ALZ onsemi

Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 14.9W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Інші пропозиції FDD1600N10ALZ за ціною від 18.47 грн до 111.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ON Semiconductor fdd1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.12 грн
25+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ON Semiconductor fdd1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+50.76 грн
500+46.90 грн
1000+44.65 грн
2500+41.50 грн
5000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ON Semiconductor fdd1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
670+52.49 грн
1000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ UMW 1a1446e0ce09f4844c01b175b46b2780.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.35 грн
10+43.29 грн
100+28.25 грн
500+20.43 грн
1000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ onsemi FDD1600N10ALZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.61 грн
10+67.82 грн
100+45.18 грн
500+33.29 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ onsemi FDD1600N10ALZ-D.pdf 1a1446e0ce09f4844c01b175b46b2780.pdf MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
на замовлення 13195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ONSEMI 2572505.pdf Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ON Semiconductor fdd1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ONSEMI 2572505.pdf Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ fdd1600n10alzd.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.12 грн
25+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ fdd1600n10alzd.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
277+50.76 грн
500+46.90 грн
1000+44.65 грн
2500+41.50 грн
5000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ fdd1600n10alzd.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
670+52.49 грн
1000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ 1a1446e0ce09f4844c01b175b46b2780.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.35 грн
10+43.29 грн
100+28.25 грн
500+20.43 грн
1000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ-D.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.61 грн
10+67.82 грн
100+45.18 грн
500+33.29 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ-D.pdf 1a1446e0ce09f4844c01b175b46b2780.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: onsemi
MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
на замовлення 13195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ 2572505.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ fdd1600n10alzd.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZ 2572505.pdf
FDD1600N10ALZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.