FDD16AN08A0 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 55.22 грн |
| 5000+ | 51.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD16AN08A0 onsemi
Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDD16AN08A0 за ціною від 58.06 грн до 185.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 50A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 50A Power dissipation: 135W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD16AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 50A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 50A Power dissipation: 135W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD16AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 75V 50a .16Ohms/VGS=1V |
на замовлення 5302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD16AN08A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V |
на замовлення 10322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDD16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |