Продукція > ONSEMI > FDD16AN08A0
FDD16AN08A0

FDD16AN08A0 ONSEMI

FDD16AN08A0.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 50A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 135W
Gate charge: 47nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+180.23 грн
5+133.05 грн
10+117.15 грн
25+97.07 грн
100+74.47 грн
500+73.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD16AN08A0 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 135W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.

Інші пропозиції FDD16AN08A0 за ціною від 119.07 грн до 191.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 onsemi FDD16AN08A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.61 грн
10+119.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 ONSEMI ONSM-S-A0003586438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 onsemi FDD16AN08A0-D.pdf MOSFETs 75V 50a .16Ohms/VGS=1V
на замовлення 15510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 ONSEMI ONSM-S-A0003586438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0-D.pdf
FDD16AN08A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.61 грн
10+119.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 ONSM-S-A0003586438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD16AN08A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0-D.pdf
FDD16AN08A0
Виробник: onsemi
MOSFETs 75V 50a .16Ohms/VGS=1V
на замовлення 15510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 ONSM-S-A0003586438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD16AN08A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.