Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDD2512
FDD2512

FDD2512 Fairchild Semiconductor

FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD2512 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDD2512 за ціною від 90.34 грн до 90.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD2512 Виробник : ONSEMI FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD2512 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
445+90.34 грн
Мінімальне замовлення: 445
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512 Виробник : FAIRCHILD FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2512.pdf 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512 Виробник : FAIRCHILD FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2512.pdf D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512 Виробник : FAIRCHILD FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2512.pdf TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512 Виробник : fairchild FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2512.pdf to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512 FDD2512 Виробник : ON Semiconductor fdd2512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512 FDD2512 Виробник : onsemi FDD2512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.