Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDD2570
FDD2570

FDD2570 Fairchild Semiconductor

FAIRS43408-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1907 pF @ 75 V
на замовлення 84908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+110.63 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD2570 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1907 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDD2570 за ціною від 162.58 грн до 162.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD2570 Виробник : ONSEMI FAIRS43408-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD2570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 84908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
247+162.58 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570 Виробник : FAIRCHILD FAIRS43408-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2570.pdf 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570 Виробник : FAIRCHILD FAIRS43408-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2570.pdf D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570 Виробник : FAIRCHILD FAIRS43408-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2570.pdf TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570 FDD2570 Виробник : onsemi FDD2570.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1907 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570 FDD2570 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS43408-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2570.pdf MOSFET 150V NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.