FDD2572

FDD2572 ON Semiconductor


fdd2572-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD2572 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD2572 за ціною від 64.32 грн до 164.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD2572 FDD2572 Виробник : ON Semiconductor fdd2572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572 Виробник : ON Semiconductor fdd2572jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572 Виробник : ON Semiconductor fdd2572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+92.34 грн
500+88.41 грн
1000+83.50 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572 Виробник : onsemi FDD2572.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.42 грн
10+124.27 грн
100+87.47 грн
500+68.43 грн
1000+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572 Виробник : onsemi / Fairchild FDD2572_D-1807160.pdf MOSFETs N-Ch Power Trench
на замовлення 21604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.24 грн
10+134.36 грн
100+82.00 грн
250+80.55 грн
500+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 Виробник : ONSEMI FDD2572.pdf FDD2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.34 грн
11+103.41 грн
29+97.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572 Виробник : ON Semiconductor fdd2572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572 Виробник : ON Semiconductor fdd2572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572 Виробник : ON Semiconductor fdd2572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572 Виробник : onsemi FDD2572.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.