Технічний опис FDD2572 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD2572 за ціною від 66.91 грн до 205.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 41300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD2572 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 3.4nC On-state resistance: 146mΩ Drain current: 4A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 135W Drain-source voltage: 150V Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD2572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
FDD2572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FDD2572 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Ch Power Trench |
товару немає в наявності |


