Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD2572 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD2572 за ціною від 60.40 грн до 208.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD2572 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDD2572 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 41300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDD2572 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 3.4nC On-state resistance: 146mΩ Drain current: 4A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 135W Drain-source voltage: 150V Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDD2572 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch Power Trench |
на замовлення 19441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDD2572 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDD2572 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 255+ | 139.08 грн |
| FDD2572 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 41300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 255+ | 139.08 грн |
| 500+ | 124.93 грн |
| 1000+ | 115.44 грн |
| 10000+ | 99.24 грн |
| FDD2572 |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.4nC
On-state resistance: 146mΩ
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 135W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.4nC
On-state resistance: 146mΩ
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 135W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 142.53 грн |
| 10+ | 114.53 грн |
| 25+ | 100.96 грн |
| 100+ | 88.23 грн |
| FDD2572 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Power Trench
MOSFETs N-Ch Power Trench
на замовлення 19441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.12 грн |
| 10+ | 125.64 грн |
| 100+ | 64.28 грн |
| 500+ | 61.25 грн |
| 1000+ | 60.40 грн |
| FDD2572 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.54 грн |
| 10+ | 130.03 грн |
| 100+ | 89.69 грн |
| 500+ | 67.97 грн |