Продукція > FDD > FDD2670

FDD2670

fdd2670-d.pdf
Код товару: 126745
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD2670 за ціною від 46.21 грн до 197.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD2670 FDD2670 Виробник : onsemi fdd2670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.47 грн
10+103.74 грн
100+74.03 грн
500+55.80 грн
1000+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670 Виробник : onsemi / Fairchild FDD2670-D.PDF MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.94 грн
10+107.40 грн
100+68.30 грн
500+54.57 грн
1000+49.76 грн
2500+46.42 грн
5000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670 Виробник : onsemi fdd2670-d.pdf MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.59 грн
10+125.04 грн
100+73.88 грн
500+61.12 грн
1000+57.15 грн
2500+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 Виробник : fairchild fdd2670-d.pdf to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670 Виробник : onsemi fdd2670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.