Продукція > ONSEMI > FDD2670
FDD2670

FDD2670 onsemi

fdd2670-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.52 грн
10+103.78 грн
100+74.05 грн
500+55.82 грн
1000+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD2670 onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FDD2670 за ціною від 46.23 грн до 197.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD2670 FDD2670 Виробник : onsemi / Fairchild FDD2670-D.PDF MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.99 грн
10+107.44 грн
100+68.33 грн
500+54.59 грн
1000+49.78 грн
2500+46.44 грн
5000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670 Виробник : onsemi fdd2670-d.pdf MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.67 грн
10+125.08 грн
100+73.91 грн
500+61.15 грн
1000+57.17 грн
2500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 Виробник : fairchild fdd2670-d.pdf to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670
Код товару: 126745
Додати до обраних Обраний товар

fdd2670-d.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670 Виробник : ON Semiconductor fdd2670d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670 Виробник : onsemi fdd2670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.