Продукція > FDD2670
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDD2670 за ціною від 62.30 грн до 228.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD2670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD2670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD2670 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD2670 | onsemi |
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET |
на замовлення 3006 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| FDD2670 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 271+ | 135.49 грн |
| 500+ | 121.95 грн |
| 1000+ | 112.45 грн |
| FDD2670 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 271+ | 135.49 грн |
| 500+ | 121.95 грн |
| 1000+ | 112.45 грн |
| FDD2670 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 212.66 грн |
| 10+ | 132.50 грн |
| 50+ | 101.29 грн |
| 100+ | 85.62 грн |
| 500+ | 69.06 грн |




