FDD2670
Код товару: 126745
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDD2670 за ціною від 55.56 грн до 154.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD2670 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDD2670 | onsemi |
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET |
на замовлення 3036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDD2670 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET |
на замовлення 3068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDD2670 | fairchild |
to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDD2670 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.41 грн |
| 10+ | 103.71 грн |
| 100+ | 74.00 грн |
| 500+ | 55.78 грн |
| 1000+ | 55.56 грн |
| FDD2670 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDD2670 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)