FDD2670 - Микросхемы - Прочие микросхемы

FDD2670

Код товара: 126745
Производитель:
Микросхемы - Прочие микросхемы

htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание FDD2670

Цена FDD2670 от 45.11 грн до 112.83 грн

FDD2670
FDD2670
Производитель: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228pF @ 100V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Part Number: FDD267
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 22500 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
2500+ 45.11 грн
FDD2670
FDD2670
Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 2416 шт
срок поставки 7-21 дня (дней)
4+ 103.56 грн
10+ 87.11 грн
100+ 59.18 грн
250+ 57.21 грн
FDD2670
FDD2670
Производитель: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228pF @ 100V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Part Number: FDD267
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 24986 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
5+ 112.83 грн
10+ 101.45 грн
25+ 88.88 грн
100+ 69.33 грн
250+ 67.55 грн
500+ 54.15 грн
1000+ 45.95 грн
FDD2670
FDD2670
Производитель: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228pF @ 100V
Power - Max: 1.3W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 128510000 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
FDD2670
Производитель: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name) 		товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
FDD2670
Производитель: fairchild
to-252/d-pak
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 30000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDD2670
Производитель: FAIRCHILD
D-PAK/ TO-252
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 9500 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDD2670
Производитель: FAIRCHILD

htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 2000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDD2670
Производитель: FAIRCHILD
07+ TO-252
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 21000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDD2670
Производитель:

htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 2080 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FDD2670
Производитель: FAIRCHILD
TO-252
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 21000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)