FDD306P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 27.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD306P onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 52W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V.
Інші пропозиції FDD306P за ціною від 24.65 грн до 106.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD306P | Виробник : ON-Semiconductor |
P-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 FDD306P ON Semiconductor TFDD306P кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD306P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH |
на замовлення 43391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD306P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V |
на замовлення 4170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD306P | Виробник : onsemi |
MOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH |
на замовлення 29364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|