Продукція > ONSEMI > FDD306P
FDD306P

FDD306P onsemi

fdd306p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD306P onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 52W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V.

Інші пропозиції FDD306P за ціною від 27.61 грн до 101.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD306P FDD306P ON-Semiconductor info-tfdd306p.pdf P-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 FDD306P ON Semiconductor TFDD306P
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P FDD306P onsemi fdd306p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.51 грн
10+61.79 грн
100+41.15 грн
500+30.29 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P FDD306P onsemi FDD306P-D.pdf MOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
на замовлення 29364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P FDD306P onsemi / Fairchild fdd306p-d.pdf MOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
на замовлення 43391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P info-tfdd306p.pdf
FDD306P
Виробник: ON-Semiconductor
P-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 FDD306P ON Semiconductor TFDD306P
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P fdd306p-d.pdf
FDD306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.51 грн
10+61.79 грн
100+41.15 грн
500+30.29 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P FDD306P-D.pdf
FDD306P
Виробник: onsemi
MOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
на замовлення 29364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P fdd306p-d.pdf
FDD306P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
на замовлення 43391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.