Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD3510H onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Power - Max: 1.3W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Common Drain, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDD3510H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD3510H | onsemi |
 Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel, Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDD3510H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK) Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 13.9 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
FDD3510H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK) SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDD3510H | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDD3510H |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDD3510H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 13.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 13.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDD3510H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDD3510H |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.