Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDD3570
FDD3570

FDD3570 Fairchild Semiconductor

FAIRS43390-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 10A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 5144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
513+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 513
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3570 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 10A TO252, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції FDD3570

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD3570 Виробник : FAIRCHILD FDD3570.pdf FAIRS43390-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3570 FDD3570 Виробник : onsemi FDD3570.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10A TO252
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.