Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD3670 Vbsemi
FDD3670

FDD3670 Vbsemi

FDD3670D-Pak.pdf
Код товару: 221616
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Vbsemi
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 30 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується 25.07.2026
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD3670 за ціною від 43.35 грн до 177.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD3670 FDD3670
Код товару: 66963
Додати до обраних Обраний товар
ON fdd3670-daatsheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 34 A
Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2490/57
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.37 грн
500+63.79 грн
1000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 onsemi / Fairchild FDD3670-D.PDF MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 11326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+95.27 грн
100+51.36 грн
500+46.05 грн
1000+45.49 грн
2500+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+155.32 грн
115+123.59 грн
172+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.69 грн
50+114.37 грн
100+77.56 грн
500+57.74 грн
1000+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 onsemi fdd3670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+104.40 грн
100+71.18 грн
500+53.48 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 onsemi fdd3670-d.pdf MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 11197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.19 грн
10+112.73 грн
100+66.48 грн
500+53.23 грн
1000+49.01 грн
2500+47.98 грн
5000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 fairchild fdd3670-d.pdf to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670
Код товару: 66963
Додати до обраних Обраний товар
fdd3670-daatsheet.pdf
FDD3670
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 34 A
Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2490/57
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD3670
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+85.37 грн
500+63.79 грн
1000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670-D.PDF
FDD3670
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 11326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.11 грн
10+95.27 грн
100+51.36 грн
500+46.05 грн
1000+45.49 грн
2500+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 fdd3670-d.pdf
FDD3670
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
92+155.32 грн
115+123.59 грн
172+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD3670
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+162.69 грн
50+114.37 грн
100+77.56 грн
500+57.74 грн
1000+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 fdd3670-d.pdf
FDD3670
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+169.31 грн
10+104.40 грн
100+71.18 грн
500+53.48 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 fdd3670-d.pdf
FDD3670
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 11197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+177.19 грн
10+112.73 грн
100+66.48 грн
500+53.23 грн
1000+49.01 грн
2500+47.98 грн
5000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 fdd3670-d.pdf
FDD3670
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 fdd3670-d.pdf
Виробник: fairchild
to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.