Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD3670 ON
FDD3670

FDD3670 ON

fdd3670-daatsheet.pdf
Код товару: 66963
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 34 A
Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2490/57
Монтаж: SMD
у наявності 18 шт:
10 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD3670 за ціною від 43.79 грн до 178.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD3670 FDD3670 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.60 грн
500+55.14 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 Виробник : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 Виробник : onsemi / Fairchild FDD3670-D.PDF MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 11326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.47 грн
10+96.22 грн
100+51.87 грн
500+46.51 грн
1000+45.95 грн
2500+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.47 грн
50+107.37 грн
100+60.60 грн
500+55.14 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 Виробник : onsemi fdd3670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.88 грн
10+96.46 грн
100+65.68 грн
500+49.27 грн
1000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 Виробник : onsemi fdd3670-d.pdf MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 11197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.96 грн
10+113.06 грн
100+67.77 грн
500+57.80 грн
1000+51.18 грн
2500+50.41 грн
5000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 Виробник : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 Виробник : fairchild fdd3670-d.pdf to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 Виробник : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 fdd3670-d.pdf MOSFET N-CH 100V 34A TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 Виробник : On Semiconductor fdd3670-d.pdf MOSFET N-CH 100V 34A TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670 FDD3670 Виробник : onsemi fdd3670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFR4620PBF
Код товару: 37550
Додати до обраних Обраний товар
description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
IRFR4620PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
Монтаж: SMD
у наявності: 39 шт
16 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+110.00 грн
10+99.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZPBF (DPAK)
Код товару: 48508
1 Додати до обраних Обраний товар
IRLR3110ZPBF (DPAK)
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 63 A
Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 60 шт
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+143.00 грн
10+126.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
33,2 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-33K2R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 10737
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_hitano-datasheet.pdf
33,2 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-33K2R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 33,2 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 1536 шт
1536 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 5000 шт
5000 шт - очікується
Кількість Ціна
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 8516
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується 10.08.2026
Кількість Ціна
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
75 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-75R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4411
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_hitano-datasheet.pdf
75 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-75R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 75 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 8510 шт
8500 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
200+0.10 грн
1000+0.06 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.