Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD3672 Fairchild
FDD3672

FDD3672 Fairchild

fdd3672-datasheet.pdf
Код товару: 92624
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 28 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/24
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+55.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD3672 за ціною від 44.69 грн до 153.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD3672 FDD3672 onsemi FDD3672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.99 грн
5000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 onsemi FDD3672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.49 грн
10+81.47 грн
100+65.67 грн
500+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UltraFET®
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.19 грн
5+108.60 грн
10+95.87 грн
25+79.75 грн
50+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 onsemi / Fairchild FDD3672_D-1806930.pdf MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 18499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.77 грн
10+103.75 грн
100+66.82 грн
250+66.32 грн
500+54.62 грн
1000+48.42 грн
2500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672-D.pdf
FDD3672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+51.99 грн
5000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672-D.pdf
FDD3672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.49 грн
10+81.47 грн
100+65.67 грн
500+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672.pdf
FDD3672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UltraFET®
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+146.19 грн
5+108.60 грн
10+95.87 грн
25+79.75 грн
50+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672_D-1806930.pdf
FDD3672
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 18499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.77 грн
10+103.75 грн
100+66.82 грн
250+66.32 грн
500+54.62 грн
1000+48.42 грн
2500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.