Продукція > ONSEMI > FDD3672
FDD3672

FDD3672 onsemi

FDD3672-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3672 onsemi

Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135mW, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDD3672 за ціною від 47.66 грн до 168.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD3672 FDD3672 Виробник : ON Semiconductor 3663483825850963fdd3672.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 Виробник : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 Виробник : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.84 грн
500+60.99 грн
1000+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE60BFDFDD5E28&compId=FDD3672.pdf?ci_sign=2f119ab2145af13489fbc2210acb4aeb21f21821 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.72 грн
10+82.91 грн
14+72.55 грн
36+68.56 грн
500+66.97 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE60BFDFDD5E28&compId=FDD3672.pdf?ci_sign=2f119ab2145af13489fbc2210acb4aeb21f21821 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.27 грн
10+103.32 грн
14+87.05 грн
36+82.27 грн
500+80.36 грн
1000+79.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 Виробник : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+121.74 грн
10+100.38 грн
25+99.38 грн
100+76.19 грн
250+69.82 грн
500+58.91 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 Виробник : onsemi FDD3672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 110510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.36 грн
10+97.90 грн
100+74.36 грн
500+55.93 грн
1000+54.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 Виробник : onsemi / Fairchild FDD3672_D-1806930.pdf MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 18499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.97 грн
10+112.65 грн
100+72.55 грн
250+72.02 грн
500+59.31 грн
1000+52.58 грн
2500+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+168.27 грн
50+106.46 грн
100+79.84 грн
500+60.99 грн
1000+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672
Код товару: 92624
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild fdd3672-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 28 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/24
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+55.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 Виробник : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.