FDD3672 Fairchild
Код товару: 92624
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 44 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 28 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1710/24
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDD3672 за ціною від 43.39 грн до 150.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD3672 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AAFET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD3672 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD3672 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD3672 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD3672 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD3672 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V |
на замовлення 18499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDD3672 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135mW Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDD3672 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 50.47 грн |
| 5000+ | 43.39 грн |
| FDD3672 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 205+ | 68.62 грн |
| FDD3672 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 78.03 грн |
| FDD3672 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.85 грн |
| 10+ | 79.09 грн |
| 100+ | 63.75 грн |
| 500+ | 49.84 грн |
| FDD3672 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 150.24 грн |
| 10+ | 123.88 грн |
| 25+ | 122.65 грн |
| 100+ | 94.03 грн |
| 250+ | 86.16 грн |
| 500+ | 72.70 грн |
| 1000+ | 58.82 грн |
| FDD3672 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 18499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDD3672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




