
FDD3672 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 48.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD3672 onsemi
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135mW, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDD3672 за ціною від 47.43 грн до 161.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD3672 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD3672 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD3672 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD3672 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135mW Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD3672 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD3672 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
на замовлення 110510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD3672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 18499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD3672 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135mW Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDD3672 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDD3672 Код товару: 92624
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Fairchild |
![]() Uds,V: 100 V Idd,A: 44 A Rds(on), Ohm: 28 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1710/24 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD3672 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |