FDD3672 Fairchild


fdd3672-datasheet.pdf
Код товару: 92624
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 44 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 28 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1710/24
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+55.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD3672 за ціною від 43.39 грн до 150.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD3672 FDD3672 onsemi FDD3672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.47 грн
5000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+68.62 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 onsemi FDD3672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.85 грн
10+79.09 грн
100+63.75 грн
500+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.24 грн
10+123.88 грн
25+122.65 грн
100+94.03 грн
250+86.16 грн
500+72.70 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 onsemi / Fairchild FDD3672_D-1806930.pdf MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 18499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 ONSEMI FDD3672-D.pdf Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.47 грн
5000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 fdd3672-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
205+68.62 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 fdd3672-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.85 грн
10+79.09 грн
100+63.75 грн
500+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 fdd3672-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+150.24 грн
10+123.88 грн
25+122.65 грн
100+94.03 грн
250+86.16 грн
500+72.70 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672_D-1806930.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 18499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.