FDD3672

FDD3672 onsemi


FAIR-S-A0002365570-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.32 грн
5000+ 44.78 грн
12500+ 43.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3672 onsemi

Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135mW, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції FDD3672 за ціною від 45.96 грн до 128.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD3672 FDD3672 Виробник : ON Semiconductor 3663483825850963fdd3672.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3672 FDD3672 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+73.99 грн
500+ 58.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD3672 FDD3672 Виробник : ON Semiconductor 3663483825850963fdd3672.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+96.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3672 FDD3672 Виробник : ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.37 грн
5+ 85.2 грн
13+ 63.9 грн
35+ 60.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3672 FDD3672 Виробник : onsemi FAIR-S-A0002365570-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 18697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.74 грн
10+ 85.75 грн
100+ 68.21 грн
500+ 54.17 грн
1000+ 45.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 FDD3672 Виробник : onsemi / Fairchild FDD3672_D-2312101.pdf MOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 19535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.97 грн
10+ 95.58 грн
100+ 65.96 грн
500+ 55.8 грн
1000+ 47.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 FDD3672 Виробник : ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.65 грн
5+ 106.17 грн
13+ 76.68 грн
35+ 72.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 FDD3672 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+128.01 грн
10+ 96.93 грн
100+ 73.99 грн
500+ 58.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD3672 FDD3672
Код товару: 92624
Виробник : Fairchild fdd3672-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 28 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/24
Монтаж: SMD
товар відсутній
FDD3672 FDD3672 Виробник : ON Semiconductor 3663483825850963fdd3672.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD3672 FDD3672 Виробник : ON Semiconductor 3663483825850963fdd3672.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній