на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 166.26 грн |
| 10+ | 147.8 грн |
| 100+ | 103.22 грн |
| 500+ | 84.57 грн |
| 1000+ | 69.92 грн |
| 10000+ | 69.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD3680 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDD3680
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD3680 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDD3680 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDD3680 | Виробник : FAIRCHILD |
D-PAK/ TO-252 |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDD3680 | Виробник : FAIRCHILD |
TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDD3680 | Виробник : fairchild |
to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDD3680 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDD3680 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|
|
|
FDD3680 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V |
товар відсутній |