FDD3680 onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDD3680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 25, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 68, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4, Verlustleistung: 68, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046, SVHC: Lead (17-Jan-2022).