Продукція > ONSEMI > FDD3682
FDD3682

FDD3682 onsemi

fdd3682-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3682 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD3682 за ціною від 27.54 грн до 111.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD3682 FDD3682 Виробник : ON Semiconductor fdd3682d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+42.80 грн
317+38.49 грн
318+36.96 грн
500+31.55 грн
1000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 Виробник : ON Semiconductor fdd3682d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.97 грн
5000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 Виробник : ON Semiconductor fdd3682d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+46.02 грн
16+39.78 грн
25+39.75 грн
100+34.47 грн
250+31.77 грн
500+28.13 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586886-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.48 грн
500+37.00 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 Виробник : onsemi / Fairchild FDD3682_D-2312350.pdf MOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.19 грн
10+71.23 грн
100+47.92 грн
500+40.66 грн
1000+33.03 грн
2500+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586886-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+102.91 грн
50+69.49 грн
100+49.48 грн
500+37.00 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 Виробник : onsemi fdd3682-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.94 грн
10+71.79 грн
100+50.69 грн
500+37.50 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 Виробник : ON Semiconductor fdd3682d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 Виробник : ON Semiconductor fdd3682jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 Виробник : ONSEMI FDD3682.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 Виробник : ONSEMI FDD3682.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.