FDD3682 onsemi


fdd3682-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3682 onsemi

Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 95W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.

Інші пропозиції FDD3682 за ціною від 33.33 грн до 90.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD3682 FDD3682 ON Semiconductor fdd3682d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.27 грн
25+44.56 грн
100+42.28 грн
250+38.51 грн
500+36.37 грн
1000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 ON Semiconductor fdd3682d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+45.27 грн
330+44.56 грн
335+43.85 грн
341+41.60 грн
500+37.89 грн
1000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 onsemi fdd3682-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
10+37.52 грн
100+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 ON Semiconductor fdd3682d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.53 грн
5000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 onsemi / Fairchild FDD3682_D-2312350.pdf MOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+90.60 грн
10+73.18 грн
100+49.23 грн
500+41.77 грн
1000+33.93 грн
2500+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 ONSEMI ONSM-S-A0003586886-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682 ONSEMI ONSM-S-A0003586886-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 fdd3682d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+45.27 грн
25+44.56 грн
100+42.28 грн
250+38.51 грн
500+36.37 грн
1000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 fdd3682d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+45.27 грн
330+44.56 грн
335+43.85 грн
341+41.60 грн
500+37.89 грн
1000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 fdd3682-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.92 грн
10+37.52 грн
100+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 fdd3682d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.53 грн
5000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 FDD3682_D-2312350.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.60 грн
10+73.18 грн
100+49.23 грн
500+41.77 грн
1000+33.93 грн
2500+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 ONSM-S-A0003586886-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682 ONSM-S-A0003586886-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.