Продукція > ONSEMI > FDD3690
FDD3690

FDD3690 onsemi

fdd3690-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3690 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDD3690 за ціною від 59.61 грн до 138.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD3690 FDD3690 onsemi fdd3690-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.71 грн
10+111.18 грн
100+88.48 грн
500+70.26 грн
1000+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690 FDD3690 onsemi fdd3690-d.pdf MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690 fairchild fdd3690-d.pdf to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690 fdd3690-d.pdf
FDD3690
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.71 грн
10+111.18 грн
100+88.48 грн
500+70.26 грн
1000+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690 fdd3690-d.pdf
FDD3690
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690 fdd3690-d.pdf
Виробник: fairchild
to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.