на замовлення 7500 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 139.85 грн |
10+ | 115.64 грн |
100+ | 79.91 грн |
500+ | 67.26 грн |
1000+ | 57.14 грн |
2500+ | 54.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD3690 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDD3690
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FDD3690 | Виробник : FAIRCHILD | 07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDD3690 | Виробник : FAIRCHILD | D-PAK/ TO-252 |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDD3690 | Виробник : FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDD3690 | Виробник : fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDD3690 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||
FDD3690 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||
FDD3690 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V |
товар відсутній |
||
FDD3690 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V |
товар відсутній |