Продукція > ONSEMI > FDD3860
FDD3860

FDD3860 onsemi

fdd3860-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3860 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDD3860 за ціною від 31.79 грн до 99.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD3860 FDD3860 onsemi / Fairchild FDD3860_D-1807052.pdf MOSFETs 100V N-Channel Power Trench
на замовлення 38285 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+53.37 грн
10+52.26 грн
100+40.40 грн
500+35.36 грн
1000+34.01 грн
2500+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 FDD3860 onsemi fdd3860-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 22656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
10+64.87 грн
100+45.43 грн
500+34.46 грн
1000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 FDD3860 ON Semiconductor fdd3860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 ONSEMI FAIR-S-A0002365600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD3860 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 FDD3860_D-1807052.pdf
FDD3860
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench
на замовлення 38285 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.37 грн
10+52.26 грн
100+40.40 грн
500+35.36 грн
1000+34.01 грн
2500+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 fdd3860-d.pdf
FDD3860
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 22656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.19 грн
10+64.87 грн
100+45.43 грн
500+34.46 грн
1000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 fdd3860-d.pdf
FDD3860
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 FAIR-S-A0002365600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3860 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 717 шт
В кошику  од. на суму  грн.