FDD3860 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD3860 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDD3860 за ціною від 30.31 грн до 99.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD3860 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench |
на замовлення 38285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD3860 | Fairchild |
N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD3860 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 22656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDD3860 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench
на замовлення 38285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.00 грн |
| 10+ | 48.96 грн |
| 100+ | 37.85 грн |
| 500+ | 33.13 грн |
| 1000+ | 31.86 грн |
| 2500+ | 30.31 грн |
| FDD3860 |
|
Виробник: Fairchild
N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860
кількість в упаковці: 5 шт
N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.35 грн |
| FDD3860 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.12 грн |
| 10+ | 64.83 грн |
| 100+ | 45.39 грн |
| 500+ | 34.44 грн |
| 1000+ | 31.77 грн |