FDD3860 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 31.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD3860 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDD3860 за ціною від 29.50 грн до 96.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD3860 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench |
на замовлення 38285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD3860 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V |
на замовлення 22656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD3860 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDD3860 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3860 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD3860 | Виробник : Fairchild |
N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD3860 | Виробник : ONSEMI |
FDD3860 SMD N channel transistors |
на замовлення 1746 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
FDD3860 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |