FDD390N15ALZ onsemi / Fairchild
на замовлення 44603 шт:
термін постачання 406-415 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.51 грн |
| 10+ | 83.89 грн |
| 100+ | 56.91 грн |
| 500+ | 48.24 грн |
| 1000+ | 39.23 грн |
| 2500+ | 37 грн |
| 5000+ | 35.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD390N15ALZ onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0334ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDD390N15ALZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD390N15ALZ Код товару: 104572 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
 |
FDD390N15ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
FDD390N15ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDD390N15ALZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 63W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0334ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|
 |
FDD390N15ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
FDD390N15ALZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 63W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|
 |
FDD390N15ALZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V |
товар відсутній |
|
|
|
FDD390N15ALZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V |
товар відсутній |