
FDD390N15ALZ ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 45.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD390N15ALZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDD390N15ALZ за ціною від 36.46 грн до 141.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD390N15ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD390N15ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD390N15ALZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD390N15ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD390N15ALZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V |
на замовлення 2277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD390N15ALZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 16533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD390N15ALZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD390N15ALZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD390N15ALZ Код товару: 104572
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDD390N15ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD390N15ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDD390N15ALZ | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 63W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
FDD390N15ALZ | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 63W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |