FDD3N40TM

FDD3N40TM onsemi


FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3N40TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD3N40TM за ціною від 16.65 грн до 53.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD3N40TM FDD3N40TM Виробник : onsemi FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.54 грн
10+ 39.54 грн
100+ 27.39 грн
500+ 21.47 грн
1000+ 18.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD3N40TM FDD3N40TM Виробник : onsemi / Fairchild FDU3N40_D-2313286.pdf MOSFET 400V N-CH MOSFET
на замовлення 6307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.28 грн
10+ 43.96 грн
100+ 26.5 грн
500+ 22.18 грн
1000+ 18.85 грн
2500+ 16.71 грн
5000+ 16.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD3N40TM Виробник : ON-Semicoductor FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-Pak FDD3N40TM ON Semiconductor TFDD3n40tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD3N40TM FDD3N40TM Виробник : ON Semiconductor 4266648002326654fdu3n40-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD3N40TM FDD3N40TM Виробник : ON Semiconductor 4266648002326654fdu3n40-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD3N40TM FDD3N40TM Виробник : ON Semiconductor 4266648002326654fdu3n40-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD3N40TM FDD3N40TM Виробник : ONSEMI FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.25A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD3N40TM FDD3N40TM Виробник : ONSEMI FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.25A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній