Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD3N50NZTM
FDD3N50NZTM

FDD3N50NZTM ON Semiconductor

fdd3n50nz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD3N50NZTM ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD3N50NZTM за ціною від 55.64 грн до 55.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD3N50NZTM Виробник : Fairchild fdd3n50nz-d.pdf N-Channel 500V 2.5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak FDD3N50NZTM ON Semiconductor TFDD3n50nztm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTM FDD3N50NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd3n50nz.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTM Виробник : ONSEMI fdd3n50nz-d.pdf FDD3N50NZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTM FDD3N50NZTM Виробник : onsemi fdd3n50nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTM FDD3N50NZTM Виробник : onsemi fdd3n50nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTM FDD3N50NZTM Виробник : onsemi / Fairchild FDD3N50NZ_D-1807162.pdf MOSFET UNIFET2 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.