
FDD4141 onsemi

Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 27.13 грн |
5000+ | 24.21 грн |
7500+ | 23.23 грн |
12500+ | 21.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD4141 onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDD4141 за ціною від 16.89 грн до 117.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 170500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 8660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.8A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V |
на замовлення 18013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDD4141 Код товару: 133759
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 8660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 10930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.8A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDD4141 | Виробник : UMW |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD4141 | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 366 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |