Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDD4141

FDD4141

FDD4141-D.PDF 98c311d20aed1d801743a641569f2d87.pdf
Код товару: 133759
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD4141 за ціною від 16.78 грн до 133.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD4141 FDD4141 UMW TFDD4141_UMW_UMW_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 onsemi FDD4141-D.PDF Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.23 грн
5000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 161975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
697+50.80 грн
1000+46.85 грн
10000+41.77 грн
100000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 UMW 98c311d20aed1d801743a641569f2d87.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+43.58 грн
100+28.44 грн
500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI FDD4141.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.79 грн
6+72.80 грн
10+63.76 грн
50+46.93 грн
100+41.29 грн
250+35.15 грн
500+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 onsemi FDD4141-D.PDF Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
на замовлення 6661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.46 грн
10+70.22 грн
100+46.87 грн
500+34.57 грн
1000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ON Semiconductor fdd4141-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.63 грн
10+85.68 грн
100+56.36 грн
500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 onsemi FDD4141-D.PDF 98c311d20aed1d801743a641569f2d87.pdf MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
на замовлення 9482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI 4409139.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI 4409139.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI FDD4141-D.PDF 98c311d20aed1d801743a641569f2d87.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 TFDD4141_UMW_UMW_0001.pdf
FDD4141
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 fdd4141-d.pdf
FDD4141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141-D.PDF
FDD4141
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.23 грн
5000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 fdd4141-d.pdf
FDD4141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 161975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
697+50.80 грн
1000+46.85 грн
10000+41.77 грн
100000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 fdd4141-d.pdf
FDD4141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 98c311d20aed1d801743a641569f2d87.pdf
FDD4141
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.84 грн
10+43.58 грн
100+28.44 грн
500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.79 грн
6+72.80 грн
10+63.76 грн
50+46.93 грн
100+41.29 грн
250+35.15 грн
500+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141-D.PDF
FDD4141
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
на замовлення 6661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.46 грн
10+70.22 грн
100+46.87 грн
500+34.57 грн
1000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 fdd4141-d.pdf
FDD4141
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+133.63 грн
10+85.68 грн
100+56.36 грн
500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141-D.PDF 98c311d20aed1d801743a641569f2d87.pdf
FDD4141
Виробник: onsemi
MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
на замовлення 9482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 4409139.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 4409139.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141-D.PDF 98c311d20aed1d801743a641569f2d87.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.