
FDD4141 ON Semiconductor
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 25.76 грн |
25+ | 24.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD4141 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDD4141 за ціною від 16.39 грн до 113.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD4141 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 170500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 10350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.8A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDD4141 Код товару: 133759
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 10350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.8A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V |
на замовлення 11664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 11863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDD4141 | Виробник : UMW |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD4141 | Виробник : ONS |
![]() ![]() |
на замовлення 366 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD4141 | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |