FDD4685 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 26879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.45 грн |
| 500+ | 28.56 грн |
| 1000+ | 23.53 грн |
| 5000+ | 20.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD4685 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDD4685 за ціною від 23.53 грн до 134.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4685 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 26848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD4685 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD4685 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 8461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD4685 | Виробник : ONSEMI |
FDD4685 SMD P channel transistors |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
FDD4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDD4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDD4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDD4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FDD4685 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDD4685 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |