Продукція > ONSEMI > FDD4685
FDD4685

FDD4685 onsemi

fdd4685-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+22.24 грн
5000+19.80 грн
7500+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD4685 onsemi

Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDD4685 за ціною від 19.56 грн до 92.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD4685 FDD4685 ON Semiconductor fdd4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
852+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 ONSEMI 2304724.pdf Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.19 грн
500+30.59 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 ON Semiconductor fdd4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
280+50.65 грн
287+49.31 грн
349+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 ON Semiconductor fdd4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.23 грн
15+50.65 грн
25+49.31 грн
100+39.08 грн
250+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 onsemi fdd4685-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 8342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.24 грн
10+51.41 грн
100+33.94 грн
500+24.82 грн
1000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 onsemi fdd4685-d.pdf fcaf923bc94051214e12ffc5b3c9c72d.pdf MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.20 грн
10+54.89 грн
100+31.55 грн
500+24.87 грн
1000+22.46 грн
2500+20.11 грн
5000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 ONSEMI fdd4685-d.pdf fcaf923bc94051214e12ffc5b3c9c72d.pdf Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.00 грн
50+56.73 грн
100+37.45 грн
500+27.09 грн
1000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 UMW fcaf923bc94051214e12ffc5b3c9c72d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.21 грн
10+56.19 грн
100+37.26 грн
500+27.34 грн
1000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 fdd4685-d.pdf
FDD4685
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
852+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 2304724.pdf
FDD4685
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+42.19 грн
500+30.59 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 fdd4685-d.pdf
FDD4685
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
280+50.65 грн
287+49.31 грн
349+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 fdd4685-d.pdf
FDD4685
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+61.23 грн
15+50.65 грн
25+49.31 грн
100+39.08 грн
250+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 fdd4685-d.pdf
FDD4685
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 8342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.24 грн
10+51.41 грн
100+33.94 грн
500+24.82 грн
1000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 fdd4685-d.pdf fcaf923bc94051214e12ffc5b3c9c72d.pdf
FDD4685
Виробник: onsemi
MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+89.20 грн
10+54.89 грн
100+31.55 грн
500+24.87 грн
1000+22.46 грн
2500+20.11 грн
5000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 fdd4685-d.pdf fcaf923bc94051214e12ffc5b3c9c72d.pdf
FDD4685
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+90.00 грн
50+56.73 грн
100+37.45 грн
500+27.09 грн
1000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 fcaf923bc94051214e12ffc5b3c9c72d.pdf
FDD4685
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.21 грн
10+56.19 грн
100+37.26 грн
500+27.34 грн
1000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.