Продукція > ONSEMI > FDD4685
FDD4685

FDD4685 onsemi

fdd4685-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.89 грн
5000+22.16 грн
7500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD4685 onsemi

Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDD4685 за ціною від 22.77 грн до 113.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
852+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 852
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
280+46.54 грн
287+45.31 грн
349+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 280
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : ONSEMI 2304724.pdf Description: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.22 грн
500+34.24 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+60.28 грн
15+49.86 грн
25+48.54 грн
100+38.47 грн
250+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : ONSEMI FDD4685.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.75 грн
7+63.47 грн
10+53.45 грн
25+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : onsemi fdd4685-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 8342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.40 грн
10+57.54 грн
100+37.98 грн
500+27.78 грн
1000+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : ONSEMI FDD4685.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 893 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.30 грн
5+79.10 грн
10+64.14 грн
25+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : UMW fcaf923bc94051214e12ffc5b3c9c72d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.21 грн
10+62.89 грн
100+41.70 грн
500+30.61 грн
1000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : onsemi fdd4685-d.pdf fcaf923bc94051214e12ffc5b3c9c72d.pdf MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.83 грн
10+63.90 грн
100+36.72 грн
500+28.94 грн
1000+26.14 грн
2500+23.41 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 Виробник : ONSEMI 2304724.pdf Description: ONSEMI - FDD4685 - MOSFET, P-KANAL, SMD, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.33 грн
50+71.59 грн
100+47.22 грн
500+34.24 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : ON Semiconductor fdd4685cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 Виробник : UMW fcaf923bc94051214e12ffc5b3c9c72d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.