Продукція > ONSEMI > FDD5612
FDD5612

FDD5612 ONSEMI

2298435.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 11331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.13 грн
11+75.27 грн
100+54.30 грн
500+41.61 грн
1000+33.39 грн
5000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5612 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDD5612

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5612 FDD5612 Виробник : onsemi / Fairchild FDD5612_D-1806758.pdf MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5612 FDD5612 Виробник : onsemi fdd5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5612 FDD5612 Виробник : onsemi fdd5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.