Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5612 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDD5612 за ціною від 31.99 грн до 81.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD5612 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 18 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 42 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 11331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD5612 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDD5612 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 11331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD5612 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 81.82 грн |
| 11+ | 69.01 грн |
| 25+ | 68.32 грн |
| 100+ | 50.46 грн |
| 250+ | 44.70 грн |
| 500+ | 38.61 грн |
| 1000+ | 31.99 грн |